PMP10852B

12V/15A 输出高功率小尺寸同步降压参考设计

PMP10852B

设计文件

概述

PMP10852B 参考设计使用 LM5117、用于高侧 MOSFET 的 CSD18563 以及用于低侧 MOSFET 的 CSD18532 (x2)。PMP10852B 接受 27V 至 41V 的输入电压,并输出 180W (12V@15A)。解决方案尺寸非常小,总面积为 1,200mm2 (30mm x 40mm)。该设计的满载效率约为 95%。

特性
  • 大功率 (180W)
  • 宽输入电压范围 (27V-41V)
  • 小尺寸 (1200mm2)
  • 效率达 95%
输出电压选项 PMP10852B.1
Vin (Min) (V) 27
Vin (Max) (V) 41
Vout (Nom) (V) 12
Iout (Max) (A) 15
Output Power (W) 180
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Buck- Synchronous
??image.gallery.download_zh_CN?? 观看带字幕的视频 视频

我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDU984.PDF (2005 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDREV5.PDF (248 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDREV6.PDF (95 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDREV7.PDF (97 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDREV9.ZIP (412 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCAB6.ZIP (406 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDREV8.PDF (836 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

降压控制器(外部开关)

LM5117具有模拟电流监视器的 5.5-65V 宽输入电压、电流模式同步降压控制器

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD18532Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD18563Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML

技术文档

star
= TI 精选文档
未找到结果。请清除搜索,并重试。
查看所有 1
类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 PMP10852 Test Results 2015年 5月 13日

支持与培训

可获得 TI E2E™ 论坛的工程师技术支持

查看所有论坛主题
查看英文版所有论坛主题

所有内容均由 TI 和社区网友按“原样”提供,并不构成 TI 规范。参阅使用条款

如果您对质量、包装或订购 TI 产品有疑问,请参阅 TI 支持

视频