LMG3411R070 子卡

(正在供货) LMG3411EVM-029

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This kit does not include the LMG34xx-BB-EVM motherboard. You can design your own motherboard, but if you want to start bench testing immediately, order both items now.

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描述

LMG3411EVM-029 将两个 LMG3411R070 GaN FET 配置到具有逐周期过流保护功能和所有必要辅助外围电路的半桥中。此 EVM 需要与大型系统配合使用。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG3411R070 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单个板载 PWM 输入(死区时间为 50ns)
  • 逐周期过流保护功能
  • 用于使用示波器探针(具有短接地弹簧探针)进行逻辑和功率级测量的便利探测点

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LMG3411EVM-029:
LMG3411R070 daughter card

$199.00(USD)


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ACTIVE

LMG34XX-BB-EVM :
LMG34xx GaN system-level evaluation mother board

$199.00(USD)


无此商品 ACTIVE

TI's Standard Terms and Conditions for Evaluation Modules apply.

技术文档
数据表 (1)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 1603 2019年 1月 29日 下载英文版本 (Rev.E)
用户指南 (1)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 3354 2018年 10月 24日
设计文件 (1)
标题 摘要 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
ZIP 3544 2019年 3月 21日
相关产品

TI 器件 (1)

器件型号 名称 产品系列
LMG3411R070  具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN  氮化镓(GaN) 

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