PMP5114

Intel IMVP6+ Atom CPU 内核电源设计

PMP5114

设计文件

概述

适用于嵌入式 PC 的高功率密度 Intel IMVP6+ Atom CPU 核心电源;这种设计通过使用分立的 TI NexFET 实现高功率密度和灵活配置,同时满足所有 Intel 规范

特性
  • 通过差动式电压和电流感应实现严密的电压和电流感应精度,且无论采用何种 PCB 布局均可实现精密调节
  • 总电源面积为 1 英寸 x 0.5 英寸
  • 提供多种设置来评估所有 Intel IMVP6+ CPU 核心电压稳压器功能
  • 通过板载的负载瞬变发生器进行轻松评估
  • 仅需 1x330uF 大容量电容器和 5x10uF MLCC 输出电容器
  • 最大管壳温度为 50 摄氏度(高侧 MOSFET)
输出电压选项 PMP5114.1
Vin (Min) (V) 4.5
Vin (Max) (V) 15
Vout (Nom) (V) 1.5
Iout (Max) (A) 5
Output Power (W) 7.5
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Buck- Synchronous
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDU054.PDF (365 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDR021.PDF (153 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDR022.PDF (23 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDC046.ZIP (371 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDU055.PDF (421 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD16301Q2采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
N 沟道 MOSFET

CSD16406Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
低侧驱动器

UCC27324同相 4A/4A 双通道低侧栅极驱动器

数据表: PDF | HTML
比较器

TLV3404具有漏极开路输出的四路毫微功耗高压比较器

数据表: PDF | HTML
线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS761具有反向电流保护功能的 100mA、16V、低压降稳压器

数据表: PDF
降压控制器(外部开关)

TPS51610用于 IMVP6+ CPU/GPU Vcore 的单相 D-CAP+™ 模式降压控制器

数据表: PDF

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
测试报告 PMP5114 Test Results 2013年 8月 20日

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