UCC27511A

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具有 5V UVLO、分离输出和 5V 输入电压处理能力的 4A/8A 单通道栅极驱动器

产品详情

Number of channels 1 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 8 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 7 Propagation delay time (µs) 0.013 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Dual inputs
Number of channels 1 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 8 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 7 Propagation delay time (µs) 0.013 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Dual inputs
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 输入引脚可承受 -5V 的电压(低于接地 (GND) 引脚电压)
  • 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
  • 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
  • 分离输出配置(可独立对导通和关断速度实现简便调节)
  • 短暂传播延迟(典型值 13ns)
  • 快速上升和下降时间(典型值分别为 8ns 和 7ns)
  • 4.5V 至 18V 单电源电压范围
  • VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间输出保持低电平(确保加电和断电时无毛刺脉冲运行)
  • 晶体管逻辑 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入逻辑阈值(与电源电压无关)
  • 宽迟滞(典型值 1V)可实现高噪声抗扰度
  • 双输入设计(选择一个反相(IN- 引脚)或者同相(IN+ 引脚)驱动器配置)
    • 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
  • 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
  • 输入引脚最大绝对电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
  • 输入引脚可承受 -5V 的电压(低于接地 (GND) 引脚电压)
  • 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
  • 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
  • 分离输出配置(可独立对导通和关断速度实现简便调节)
  • 短暂传播延迟(典型值 13ns)
  • 快速上升和下降时间(典型值分别为 8ns 和 7ns)
  • 4.5V 至 18V 单电源电压范围
  • VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间输出保持低电平(确保加电和断电时无毛刺脉冲运行)
  • 晶体管逻辑 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入逻辑阈值(与电源电压无关)
  • 宽迟滞(典型值 1V)可实现高噪声抗扰度
  • 双输入设计(选择一个反相(IN- 引脚)或者同相(IN+ 引脚)驱动器配置)
    • 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
  • 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
  • 输入引脚最大绝对电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制

UCC27511A 器件是紧凑型栅极驱动器,可为 NPN 和 PNP 离散驱动器(缓冲电路)解决方案提供出色的替代方案。UCC27511A 器件是一款单通道低侧、高速栅极驱动器,适用于 MOSFET、IGBT 和新兴的宽带隙功率器件(如 GaN)。UCC27511A 器件具有快速上升时间、快速下降时间和短暂传播延迟,因此非常适合高速应用。其非对称 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流可提高寄生米勒导通效应抗扰度。分离输出配置仅通过两个电阻器便轻松实现了对上升和下降时间的独立调节,并且无需使用外部二极管。宽输入迟滞和负输入电压处理等特性提高了瞬态抗扰度。

UCC27511A 器件是紧凑型栅极驱动器,可为 NPN 和 PNP 离散驱动器(缓冲电路)解决方案提供出色的替代方案。UCC27511A 器件是一款单通道低侧、高速栅极驱动器,适用于 MOSFET、IGBT 和新兴的宽带隙功率器件(如 GaN)。UCC27511A 器件具有快速上升时间、快速下降时间和短暂传播延迟,因此非常适合高速应用。其非对称 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流可提高寄生米勒导通效应抗扰度。分离输出配置仅通过两个电阻器便轻松实现了对上升和下降时间的独立调节,并且无需使用外部二极管。宽输入迟滞和负输入电压处理等特性提高了瞬态抗扰度。

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技术文档

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* 数据表 UCC27511A 具有 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流的 单通道、高速、低侧栅极驱动器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 1月 24日
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设计和开发

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仿真模型

UCC27511A PSpice Transient Model

SLVMCJ5.ZIP (67 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC27511A TINA-TI Transient Reference Design

SLVMCJ7.TSC (814 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

UCC27511A TINA-TI Transient Spice Model

SLVMCJ6.ZIP (5 KB) - TINA-TI Spice Model
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设计指南: PDF
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参考设计

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这是一个高效率 300W 交流/直流参考设计。此设计可从外部电源偏置,或配置为自偏置辅助模式以直接借助交流电源运行。PFC 采用完全内部补偿,可减少设计复杂性和 PCB 设计。保护功能包括 3 级 OCP、线路欠压、PFC 大容量 OVP 以及 UVP 和 OTP。
原理图: PDF
封装 引脚 下载
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
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  • 鉴定摘要
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包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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