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UCC27511A-Q1

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具有 5V UVLO 和分离输出的汽车类 4A/8A 单通道栅极驱动器

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产品详情

Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Input supply voltage (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Number of channels 1
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SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
  • 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流非对称驱动
  • 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
  • UCC27511A-Q1 内的分离输出配置（可独立对导通和关断速度实现简便调节）
  • 短暂传播延迟（典型值 13ns）
  • 快速上升和下降时间（典型值分别为 8ns 和 7ns）
  • 4.5V 至 18V 单电源电压范围
  • VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间输出保持低电平（确保加电和断电时无毛刺脉冲运行）
  • 晶体管逻辑 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入逻辑阈值（与电源电压无关）
  • 迟滞逻辑阈值可实现高噪声抗扰度
  • 双输入设计（选择一个反相（IN- 引脚）或者同相（IN+ 引脚）驱动器配置）
    • 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
  • 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
  • 输入引脚最大绝对电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
  • 输入引脚可承受 -5V 的直流电压（低于接地 (GND) 引脚电压）
  • 工作温度范围：-40°C 至 140°C
  • 6 引脚 DBV（小外形尺寸晶体管 (SOT)-23）封装选项
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
  • 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流非对称驱动
  • 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能
  • UCC27511A-Q1 内的分离输出配置（可独立对导通和关断速度实现简便调节）
  • 短暂传播延迟（典型值 13ns）
  • 快速上升和下降时间（典型值分别为 8ns 和 7ns）
  • 4.5V 至 18V 单电源电压范围
  • VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间输出保持低电平（确保加电和断电时无毛刺脉冲运行）
  • 晶体管逻辑 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入逻辑阈值（与电源电压无关）
  • 迟滞逻辑阈值可实现高噪声抗扰度
  • 双输入设计（选择一个反相（IN- 引脚）或者同相（IN+ 引脚）驱动器配置）
    • 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
  • 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
  • 输入引脚最大绝对电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
  • 输入引脚可承受 -5V 的直流电压（低于接地 (GND) 引脚电压）
  • 工作温度范围：-40°C 至 140°C
  • 6 引脚 DBV（小外形尺寸晶体管 (SOT)-23）封装选项

UCC27511A-Q1 器件是紧凑型栅极驱动器，可为 NPN 和 PNP 离散驱动器（缓冲电路）解决方案提供出色的替代方案。UCC27511A-Q1 器件是一款汽车应用级单通道低侧、高速栅极驱动器，适用于金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)、绝缘栅门极晶体管 (IGBT) 和新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）。UCC27511A-Q1 器件具有快速上升时间、快速下降时间和短暂传播延迟，因此非常适合高速应用。该器件具有 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流以及不对称驱动，提高了对寄生米勒接通效应的抗扰性。分离输出配置仅通过两个电阻器便轻松实现了对上升和下降时间的独立调节，并且无需使用外部二极管。

UCC27511A-Q1 器件是紧凑型栅极驱动器，可为 NPN 和 PNP 离散驱动器（缓冲电路）解决方案提供出色的替代方案。UCC27511A-Q1 器件是一款汽车应用级单通道低侧、高速栅极驱动器，适用于金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)、绝缘栅门极晶体管 (IGBT) 和新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）。UCC27511A-Q1 器件具有快速上升时间、快速下降时间和短暂传播延迟，因此非常适合高速应用。该器件具有 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流以及不对称驱动，提高了对寄生米勒接通效应的抗扰性。分离输出配置仅通过两个电阻器便轻松实现了对上升和下降时间的独立调节，并且无需使用外部二极管。
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* 数据表 UCC27511A -Q1 具有 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流的 单通道、高速、低侧栅极驱动器 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 1月 24日
功能安全信息 UCC27511A-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA 2022年 3月 16日
应用简报 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
应用简报 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020年 4月 29日
更多文献资料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018年 10月 29日
更多文献资料 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 最新英语版本 (Rev.A) 2018年 4月 17日

设计和开发

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参考设计

TIDA-01407 — 汽车类 400W、48V 电池输入、12V 输出电源参考设计

此参考设计是一种 400W 相移全桥汽车转换器，可以 48V 汽车电池输入产生 12V 输出。这种增强型相移全桥控制器实施了可编程延迟，可确保在各种操作条件下实现零电压开关 (ZVS)。这种输出实施了同步整流，可实现快速瞬态响应和高环路带宽。该系统在无负载且待机功耗小于 100mW 的情况下可提供 12V 稳定电压。通过变压器可实现伪隔离，以防 48V 电池发生次级侧短路。半桥栅极驱动器可承受最大 120V 的直流升压电压。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP20657 — 紧凑型高效率单向 48V 至 12V@400W 汽车电源参考设计

PMP20657 参考设计是一款紧凑、高效的单向功率转换器，在 400W 功率下可将电压从 48V 转换为 12V。它采用伪隔离设计，用以保护 12V 负载。相移全桥拓扑可实现 95% 以上的峰值效率。轻负载模式在 12V 时实现 <100mW 待机功率和完全调节。300kHz/600kHz 开关频率实现小尺寸解决方案。
测试报告: PDF
原理图: PDF
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订购和质量

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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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