UCC21222-Q1

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具有禁用可编程死区时间和 8V UVLO 的汽车类 3.0kVrms 4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器

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全新 UCC21330-Q1 正在供货 具有禁用逻辑和可编程死区时间的汽车类3kVRMS 4A/6A 双通道栅极驱动器 Improved CMTI, faster VDD startup

产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 结温范围:–40°C 至 150°C
  • 可通过电阻器编程的死区时间
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 5.5V
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V VDD UVLO
  • 开关参数:
    • 28ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 5.5ns 最大脉宽失真
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 集成抗尖峰脉冲滤波器
  • I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 隔离栅寿命 >40 年
  • 浪涌抗扰度高达 7800VPK
  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 结温范围:–40°C 至 150°C
  • 可通过电阻器编程的死区时间
  • 通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 输入 VCCI 范围为 3V 至 5.5V
  • 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
    • 8V VDD UVLO
  • 开关参数:
    • 28ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 5.5ns 最大脉宽失真
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 集成抗尖峰脉冲滤波器
  • I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
  • 隔离栅寿命 >40 年
  • 浪涌抗扰度高达 7800VPK
  • 窄体 SOIC-16 (D) 封装
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
    • 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准的 CSA 认证
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出,能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍,而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

可通过电阻器进行编程的死区时间帮助您调整系统限制的死区时间,从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括:当 DIS 设置为高电平时,通过禁用功能同时关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。

UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出,能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍,而无内部击穿风险。

输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。

可通过电阻器进行编程的死区时间帮助您调整系统限制的死区时间,从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括:当 DIS 设置为高电平时,通过禁用功能同时关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。

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设计和开发

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评估板

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用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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