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AC/DC & DC/DC controllers (external FET)

TPS53627

正在供货

适用于 Intel VR13 CPU VCORE 和 DDR 存储器的两相 D-CAP+™ 降压控制器

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TPS53627

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产品详情

Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 28 Iout (max) (A) 95 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Control mode D-CAP+ Rating Catalog Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 3.04 Iq (typ) (A) 0.0035 Duty cycle (max) (%) 67
Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 28 Iout (max) (A) 95 Operating temperature range (°C) -40 to 105 Control mode D-CAP+ Rating Catalog Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 3.04 Iq (typ) (A) 0.0035 Duty cycle (max) (%) 67
VQFN (RSM) 32 16 mm² 4 x 4
  • 兼容 Intel®VR13 串行 VID (SVID)
  • 单相或两相运行
  • 支持压降和非压降 应用
  • 8 位 DAC，具有 10mV 的步长
  • 4.5V 至 28V 转换电压范围
  • 输出电压范围：0.5V 到 2.3V
  • 轻重负载情况下效率均得到优化
  • 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
  • 无驱动器配置，有助于实现高效的高频开关
  • 支持分立式、电源块、 功率级™或 DrMOS MOSFET 实施
  • 精确可调电压定位
  • 300kHz 至 1MHz 的频率选择
  • 已获专利 AutoBalance™相位均衡
  • 适用于负载瞬态升压的可编程 ON-Pulse 扩展
  • 可编程自动 DCM 和 CCM 运行
  • 可选 8 级电流限制
  • 小型 32 引脚 4mm × 4mm VQFN 封装 PowerPad™封装
  • 兼容 Intel®VR13 串行 VID (SVID)
  • 单相或两相运行
  • 支持压降和非压降 应用
  • 8 位 DAC，具有 10mV 的步长
  • 4.5V 至 28V 转换电压范围
  • 输出电压范围：0.5V 到 2.3V
  • 轻重负载情况下效率均得到优化
  • 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
  • 无驱动器配置，有助于实现高效的高频开关
  • 支持分立式、电源块、 功率级™或 DrMOS MOSFET 实施
  • 精确可调电压定位
  • 300kHz 至 1MHz 的频率选择
  • 已获专利 AutoBalance™相位均衡
  • 适用于负载瞬态升压的可编程 ON-Pulse 扩展
  • 可编程自动 DCM 和 CCM 运行
  • 可选 8 级电流限制
  • 小型 32 引脚 4mm × 4mm VQFN 封装 PowerPad™封装

TPS53627 器件是兼容 VR13 SVID 的无驱动器同步降压控制器。高级控制 特性 （例如具有重叠脉冲的 D-CAP+ ™架构）支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR)，可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。该器件还支持在 CCM 和 DCM 运行情况下进行单相运行，从而提高轻负载情况下的效率。该器件集成了一整套 VR13 I/O 特性， 包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许在 00h 到 07h 的时间范围内进行编程。输出电压转换率的可调节控制可编程为高达 20mV/uS。

与 TI NexFET™功率级配合使用时，该总体解决方案可提供超高速度和低开关损耗。

TPS53627 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装，可在 –40°C 到 + 105°C 温度下运行。

TPS53627 器件是兼容 VR13 SVID 的无驱动器同步降压控制器。高级控制 特性 （例如具有重叠脉冲的 D-CAP+ ™架构）支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR)，可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。该器件还支持在 CCM 和 DCM 运行情况下进行单相运行，从而提高轻负载情况下的效率。该器件集成了一整套 VR13 I/O 特性， 包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许在 00h 到 07h 的时间范围内进行编程。输出电压转换率的可调节控制可编程为高达 20mV/uS。

与 TI NexFET™功率级配合使用时，该总体解决方案可提供超高速度和低开关损耗。

TPS53627 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装，可在 –40°C 到 + 105°C 温度下运行。
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* 数据表 TPS53627适用于 VR13 CPU VCORE 和 DDR 内存的 两相 D-CAP+™ 降压控制器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2017年 3月 29日

设计和开发

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封装 引脚 下载
VQFN (RSM) 32 查看选项
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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