TPS51362

正在供货

具有超低静态电流的 3V 至 22V、10A 同步降压转换器

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功能与比较器件相同但引脚有所不同
TPS51397A 正在供货 4.5V 至 24V 输入、10A 同步降压稳压器 Higher input voltage converter with a lower quiescent current in a smaller package.

产品详情

Iout (max) (A) 10 Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 22 Type Converter Switching frequency (min) (kHz) 800 Switching frequency (max) (kHz) 800 Features Enable, Light Load Efficiency, Output discharge, Power good, Soft Start Adjustable, Synchronous Rectification Control mode D-CAP2 Vout (min) (V) 0.6 Vout (max) (V) 2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -10 to 85
Iout (max) (A) 10 Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 22 Type Converter Switching frequency (min) (kHz) 800 Switching frequency (max) (kHz) 800 Features Enable, Light Load Efficiency, Output discharge, Power good, Soft Start Adjustable, Synchronous Rectification Control mode D-CAP2 Vout (min) (V) 0.6 Vout (max) (V) 2 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -10 to 85
VQFN-CLIP (RVE) 28 15.75 mm² 4.5 x 3.5
  • 输入电压范围:3V 至 22V
  • 输出电压范围:0.6V 至 2V
  • 10A 集成 FET 转换器
  • 最少的外部组件数量
  • ULQ™-100 模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命
  • 软启动时间可由外部电容器设定
  • 开关频率:800kHz
  • D-CAP2™ 架构以实现高分子有机半导体固体电容器 (POSCAP) 和所有多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容器的使用
  • 用于精确过流限制 (OCL) 保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测
  • 电源良好输出
    OCL,过压保护 (OVP),欠压保护 (UVP) 和欠压闭锁 (UVLO) 保护
  • 热关断(非锁存)
  • 输出放电功能
  • 集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关
  • 焊球间距 0.4mm,高度 1mm 的 28 引脚,3.5mm x 4.5mm,RVE,四方扁平无引线 (QFN) 封装
  • 输入电压范围:3V 至 22V
  • 输出电压范围:0.6V 至 2V
  • 10A 集成 FET 转换器
  • 最少的外部组件数量
  • ULQ™-100 模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命
  • 软启动时间可由外部电容器设定
  • 开关频率:800kHz
  • D-CAP2™ 架构以实现高分子有机半导体固体电容器 (POSCAP) 和所有多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容器的使用
  • 用于精确过流限制 (OCL) 保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测
  • 电源良好输出
    OCL,过压保护 (OVP),欠压保护 (UVP) 和欠压闭锁 (UVLO) 保护
  • 热关断(非锁存)
  • 输出放电功能
  • 集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关
  • 焊球间距 0.4mm,高度 1mm 的 28 引脚,3.5mm x 4.5mm,RVE,四方扁平无引线 (QFN) 封装

TPS51362 是一款高压输入、同步转换器,此转换器带有集成的 FET,它基于 DCAP-2 控制拓扑结构,从而实现快速瞬态响应并支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器。 与 TI 领先的封装技术组合在一起,TI 专有的 FET 技术为诸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点 (POL) 提供最高密度的解决方案。

TPS51362 的主要特性是其 ULQ™-100 模式以实现低偏置电流(低功率模式下为 100µA,由 LP# 启用)。 这个特性对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。

此特性集包括 800kHz 的开关频率。 可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制,其中包括 OCL,UVP,OVP 5V UVLO 和热关断。

它采用 3.5mm x 4.5mm,焊球间距 0.4mm,28 引脚 QFN (RVE) 封装,额定运行温度范围为 -10°C 至 85°C。

TPS51362 是一款高压输入、同步转换器,此转换器带有集成的 FET,它基于 DCAP-2 控制拓扑结构,从而实现快速瞬态响应并支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器。 与 TI 领先的封装技术组合在一起,TI 专有的 FET 技术为诸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点 (POL) 提供最高密度的解决方案。

TPS51362 的主要特性是其 ULQ™-100 模式以实现低偏置电流(低功率模式下为 100µA,由 LP# 启用)。 这个特性对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。

此特性集包括 800kHz 的开关频率。 可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制,其中包括 OCL,UVP,OVP 5V UVLO 和热关断。

它采用 3.5mm x 4.5mm,焊球间距 0.4mm,28 引脚 QFN (RVE) 封装,额定运行温度范围为 -10°C 至 85°C。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 具有超低静态 ( ULQ™) 的22V 输入,10A 集成场效应晶体管(FET) 转换器 数据表 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2013年 7月 2日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

仿真模型

TPS51362 TINA-TI Reference Design

SLUM453.TSC (272 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

TPS51362 TINA-TI Transient Model

SLUM454.ZIP (60 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

TPS51362 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. A)

SLUM366A.ZIP (57 KB) - PSpice Model
封装 引脚 下载
VQFN-CLIP (RVE) 28 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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