TPS51216-EP

Name: TPS51216-EP
Brand: TI
SKU: TPS51216-EP
Price: 1.452 USD

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增强型产品完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案同步降压控制器

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产品详情

Vin (min) (V)

3

Vin (max) (V)

28

Vout (min) (V)

0.7

Vout (max) (V)

1.8

Features

Shutdown Pin for S3

Iq (typ) (mA)

0.6

Rating

HiRel Enhanced Product

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

Product type

DDR

DDR memory type

DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR2, LPDDR3

Vin (min) (V)

3

Vin (max) (V)

28

Vout (min) (V)

0.7

Vout (max) (V)

1.8

Features

Shutdown Pin for S3

Iq (typ) (mA)

0.6

Rating

HiRel Enhanced Product

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

Product type

DDR

DDR memory type

DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, LPDDR2, LPDDR3

WQFN (RUK)

20

9 mm² 3 x 3

同步降压控制器 (VDDQ)
- 转换电压范围：3 至 28 V
- 输出电压范围：0.7 至 1.8 V
- 0.8% V_REF精度
- D-CAP™ 模式，可实现快速瞬态响应
- 可选 300kHz/400kHz 开关频率
- 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
- 支持 S4/S5 状态下的软关闭
- OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
- 电源正常输出
2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF)
- 2A（峰值）灌电流和拉电流
- 只需 10µF 陶瓷输出电容
- 经缓冲的低噪声 10mA VTTREF 输出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持软关闭
热关断
20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装
支持国防、航天和医疗应用
- 受控基线
- 一个组装/测试基地
- 一个制造基地
- 支持军用（-55°C 至 125°C）温度范围，⁽¹⁾
- 延长了产品生命周期
- 延长了产品变更通知
- 产品可追溯性

⁽¹⁾提供额外的温度范围 - 请联系工厂

同步降压控制器 (VDDQ)
- 转换电压范围：3 至 28 V
- 输出电压范围：0.7 至 1.8 V
- 0.8% V_REF精度
- D-CAP™ 模式，可实现快速瞬态响应
- 可选 300kHz/400kHz 开关频率
- 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
- 支持 S4/S5 状态下的软关闭
- OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
- 电源正常输出
2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF)
- 2A（峰值）灌电流和拉电流
- 只需 10µF 陶瓷输出电容
- 经缓冲的低噪声 10mA VTTREF 输出
- 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
- 在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持软关闭
热关断
20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装
支持国防、航天和医疗应用
- 受控基线
- 一个组装/测试基地
- 一个制造基地
- 支持军用（-55°C 至 125°C）温度范围，⁽¹⁾
- 延长了产品生命周期
- 延长了产品变更通知
- 产品可追溯性

⁽¹⁾提供额外的温度范围 - 请联系工厂

TPS51216-EP 以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式与 300kHz/400kHz 频率相结合，以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷电容器。此外，还提供专用的 LDO 电源输入。

TPS51216-EP 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。

TPS51216-EP 以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式与 300kHz/400kHz 频率相结合，以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷电容器。此外，还提供专用的 LDO 电源输入。

TPS51216-EP 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。

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*	数据表	TPS51216-EP 具有同步降压控制器、2A LDO 和缓冲基准的完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案数据表 (Rev. A)	PDF \| HTML	英语版 (Rev.A)	PDF \| HTML	2022年 7月 21日
*	VID	TPS51216-EP VID V6216601				2018年 3月 27日
*	辐射与可靠性报告	TPS51216MRUKREP Reliability Report				2016年 4月 11日