TPS51200A-Q1

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灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器

产品详情

Vin (min) (V) 1.1 Vin (max) (V) 3.5 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features S3/S5 Support Iq (typ) (mA) 0.5 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Vin (min) (V) 1.1 Vin (max) (V) 3.5 Vout (min) (V) -0.3 Vout (max) (V) 3.6 Features S3/S5 Support Iq (typ) (mA) 0.5 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
VSON (DRC) 10 9 mm² 3 x 3
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 AEC-Q100 标准:
    • 器件温度等级 1:
      –40°C ≤ TA ≤ 125°C
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 扩展的可靠性测试
  • 输入电压:支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
  • VLDOIN 电压范围:1.1V 至 3.5V
  • 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
  • 所需最小输出电容为 20µF(通常为 3 × 10µF MLCC),用于存储器终端 应用 (DDR)
  • 用于监视输出稳压的 PGOOD
  • EN 输入
  • REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
  • 远程检测 (VOSNS)
  • ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
  • 内置软启动、UVLO 和 OCL
  • 热关断
  • 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范;支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
  • 带外露散热焊盘的 VSON-10 封装
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 AEC-Q100 标准:
    • 器件温度等级 1:
      –40°C ≤ TA ≤ 125°C
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 扩展的可靠性测试
  • 输入电压:支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
  • VLDOIN 电压范围:1.1V 至 3.5V
  • 具有压降补偿功能的灌电流和拉电流终端稳压器
  • 所需最小输出电容为 20µF(通常为 3 × 10µF MLCC),用于存储器终端 应用 (DDR)
  • 用于监视输出稳压的 PGOOD
  • EN 输入
  • REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
  • 远程检测 (VOSNS)
  • ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
  • 内置软启动、UVLO 和 OCL
  • 热关断
  • 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范;支持 DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
  • 带外露散热焊盘的 VSON-10 封装

TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器,专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。

此器件可保持快速的瞬态响应,最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能,并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。

此外,该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压,并提供一个 EN 信号在 S3(挂起至 RAM)期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。

此器件采用高效散热型 VSON-10 封装,具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。

TPS51200A-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器,专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。

此器件可保持快速的瞬态响应,最低仅需 20µF 输出电容。此器件支持遥感功能,并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。

此外,该器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压,并提供一个 EN 信号在 S3(挂起至 RAM)期间针对 DDR 应用进行 VTT 放电。

此器件采用高效散热型 VSON-10 封装,具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPS51200A-Q1 灌电流和拉电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2019年 3月 11日
应用手册 DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) 2020年 7月 9日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TPS51200EVM — TPS51200 灌电流/拉电流 DDR 终端稳压器

TPS51200EVM 评估板 HPA322A 旨在评估 TI 的低成本 DDR/DDR2/DDR3/LP DDR3 VTT 终端稳压器 TPS51200 的性能特性。TPS51200 旨在为 DDR 存储器提供适当的终止电压和 10mA 缓冲基准电压,该存储器涵盖 DDR (2.5V/1.25V)、DDR2 (1.8V/0.9V)、DDR3 (1.5V/0.75V)、LP DDR3 (1.2V/0.6V) 规格,并具有超少的外部元件。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
参考设计

TIDEP-01017 — TIDEP-01017

此参考设计为级联成像雷达系统奠定了处理基础。级联雷达设备可支持前端远距离 (LRR) 波束形成应用以及角级联和侧级联雷达和传感器融合系统。此参考设计为有资质的开发人员提供了设计材料,供开发人员创建用于开发和测试 ADAS 应用的有效软件评估平台。该设计将有助于缩短基础平台的开发时间,并为多个汽车雷达前端和天线子系统提供支持。

级联开发套件具有两个主要用例:

  1. 要使用 MMWCAS-DSP-EVM 作为捕获卡,并通过 mmWave Studio 工具完整评估 AWR2243 四芯片级联性能,请查看 TIDEP-01012 设计指南
  2. 要使用 MMWCAS-DSP-EVM 开发雷达实时 SW (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP30785 — 面向驱动监控系统的汽车多轨电源参考设计

此参考设计展示了用于驱动监控系统的电子控制单元 (ECU) 的非隔离式汽车电源的性能参考设计包括带九个电源插座的电源产品组合。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 下载
VSON (DRC) 10 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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