TLV1171

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1A 低压降稳压器 (tab GND)

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Output options Fixed Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 2 Vout (max) (V) 2.5 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.5, 1.8, 2.5 Noise (µVrms) 60 Iq (typ) (mA) 0.05 Thermal resistance θJA (°C/W) 63 Rating Catalog Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1.3 PSRR at 100 KHz (dB) 50 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 455 Operating temperature range (°C) -40 to 125
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SOT-223 (DCY) 4 45.5 mm² 6.5 x 7
  • 精度:1.5%(典型值)
  • 低 IQ:100μA(最大值)
    • 比标准 1117 器件低 500 倍
  • VIN:2.0V 至 5.5V
    • VIN:绝对最大值为 6.0V
  • 输出电流 0mA 时保持稳定
  • 低压降:VOUT = 3.3V,1A 时为 455mV
  • 高电源抑制比 (PSRR):频率 1kHz 时为 65dB
  • 最低保证限流:1.1A
  • 与低成本陶瓷电容器一起工作时保持稳定性:
    • 具有 0Ω 等效串联电阻 (ESR)
  • 温度范围:-40°C 至 +125°C
  • 具有热关断及过流保护功能
  • 提供的封装类型:小外形尺寸晶体管 (SOT)223 封装
    • 可提供的电压选项的完整列表请参阅此文档末尾的。
  • 精度:1.5%(典型值)
  • 低 IQ:100μA(最大值)
    • 比标准 1117 器件低 500 倍
  • VIN:2.0V 至 5.5V
    • VIN:绝对最大值为 6.0V
  • 输出电流 0mA 时保持稳定
  • 低压降:VOUT = 3.3V,1A 时为 455mV
  • 高电源抑制比 (PSRR):频率 1kHz 时为 65dB
  • 最低保证限流:1.1A
  • 与低成本陶瓷电容器一起工作时保持稳定性:
    • 具有 0Ω 等效串联电阻 (ESR)
  • 温度范围:-40°C 至 +125°C
  • 具有热关断及过流保护功能
  • 提供的封装类型:小外形尺寸晶体管 (SOT)223 封装
    • 可提供的电压选项的完整列表请参阅此文档末尾的。

TLV1171 低压降 (LDO) 线性稳压器是普及型 1117 稳压器的低输入电压版本。

TLV1171 是一款极低功耗器件,其消耗的静态电流为传统 1117 稳压器的五百分之一,这使得 TLV1171非常适合于需要极低待机电流的应用。 TLV1171 LDO 还可在 0 mA 负载电流下保持稳定;没有最低负载要求,这使得此器件非常适合于需要在待机时为极小负载供电、同时又可在正常工作期间提供大约 1A 大电流的应用。 TLV1171 可提供出色的线路与负载瞬态性能,从而可在负载电流要求从不足 1 mA 变为超过 500 mA 时实现极低的下冲与过冲输出电压。

高精度带隙与误差放大器支持 1.5% 的精度。 极高的电源抑制比使该器件能够在开关稳压器之后用于后稳压。 其它重要特性还包括低输出噪声与低压降电压等。

该器件可通过内部补偿,在使用 0 Ω ESR 电容器时保持稳定。 这些重要优势可实现对低成本小型陶瓷电容器的使用。 此外,在必要时还可使用具有较高偏置电压和温度降额的低成本电容器。

TPS1171 采用 SOT223 封装方式。 对于此器件的替代插脚引线,请参考TLV1171LV。

TLV1171 低压降 (LDO) 线性稳压器是普及型 1117 稳压器的低输入电压版本。

TLV1171 是一款极低功耗器件,其消耗的静态电流为传统 1117 稳压器的五百分之一,这使得 TLV1171非常适合于需要极低待机电流的应用。 TLV1171 LDO 还可在 0 mA 负载电流下保持稳定;没有最低负载要求,这使得此器件非常适合于需要在待机时为极小负载供电、同时又可在正常工作期间提供大约 1A 大电流的应用。 TLV1171 可提供出色的线路与负载瞬态性能,从而可在负载电流要求从不足 1 mA 变为超过 500 mA 时实现极低的下冲与过冲输出电压。

高精度带隙与误差放大器支持 1.5% 的精度。 极高的电源抑制比使该器件能够在开关稳压器之后用于后稳压。 其它重要特性还包括低输出噪声与低压降电压等。

该器件可通过内部补偿,在使用 0 Ω ESR 电容器时保持稳定。 这些重要优势可实现对低成本小型陶瓷电容器的使用。 此外,在必要时还可使用具有较高偏置电压和温度降额的低成本电容器。

TPS1171 采用 SOT223 封装方式。 对于此器件的替代插脚引线,请参考TLV1171LV。

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* 数据表 1A,正固定电压、低压降稳压器 数据表 英语版 PDF | HTML 2012年 5月 8日
用户指南 TLV117125EVM-097 Evalutation Module 2012年 2月 23日

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  • 鉴定摘要
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包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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