LM5113-Q1 (正在供货)

 

描述

LM5113-Q1 专为应用于汽车领域的同步Buck,Boost,以及半桥电路中,同时驱动高低侧增强型的氮化镓(GaN) FETs 或硅质 MOSFET 而设计。 此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管,还为高侧和低侧输出分别提供了独立的输入,可实现最大程度的灵活控制。高侧偏置电压在内部被钳位为 5.2V,可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅极/源极电压额定值。器件的输入与 TTL 逻辑兼容,无论 VDD 电压多高,它都能够承受高达 14V 的输入电压。LM5113-Q1 具有分栅输出的能力,可独立灵活地调节开通和关断强度。

此外,LM5113-Q1 具有非常可靠的灌电流能力,使栅极保持低电平,从而防止开关操作期间发生误导通。LM5113-Q1 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113-Q1 采用带有裸露焊盘的标准 10 引脚 WSON 封装,可改善功耗。

特性

  • 符合汽车应用 要求
  • 符合 AEC-Q100 标准,其中包括以下内容:
    • 器件温度 1 级:-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 1C
    • 器件带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 独立的高侧和低侧TTL 逻辑输入
  • 1.2A 峰值拉电流能力,5A 峰值灌电流能力
  • 高侧浮动偏置电压轨
    工作电压高达 100VDC
  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离输出实现可调的
    开通和关断应力
  • 0.6Ω 下拉电阻,2.1Ω 上拉电阻
  • 快速传播时间(典型值为 28ns)
  • 优异的传播延迟
    (典型值为 1.5ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗

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参数 与其它产品相比 GaN FET 驱动器

 
Driver Configuration
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Input Threshold
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
Package Size: mm2:W x L (PKG)
LM5113-Q1 LM5113 LMG1205
Dual Independent    Dual
Independent   
Dual, Independent   
2    2    2   
MOSFET
GaNFET   
MOSFET
GaNFET   
MOSFET
GaNFET   
90    90    90   
5    5    5   
4.5    4.5    4.5   
5.5    5.5    5.5   
7    7    7   
3.5    3.5    3.5   
30    30    35   
TTL    TTL    TTL   
Automotive    Catalog    Catalog   
-40 to 125    -40 to 125    -40 to 125   
WSON    DSBGA
WSON   
DSBGA   
See datasheet (WSON)    See datasheet (DSBGA)
See datasheet (WSON)   
See datasheet (DSBGA)   

其它合格版本 LM5113-Q1

版本 器件型号 定义
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