适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

LM5113 不推荐用于新设计
虽然我们会继续生产此产品供先前的设计使用,但不推荐在新设计中使用此产品。请考虑从这些替代产品中选择一款:
open-in-new 比较替代产品
功能优于比较器件,可直接替换
LM5113-Q1 正在供货 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器 Automotive qualified

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Split outputs on high and low side Driver configuration Dual, Independent
DSBGA (YFX) 12 3.24 mm² 1.8 x 1.8 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • 独立的高侧和低侧
    TTL 逻辑输入
  • 1.2A/5A 峰值拉/灌电流
  • 高侧浮动偏置电压轨
    工作电压高达 100VDC
  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离输出实现可调的
    开通/关断强度
  • 0.6Ω/2.1Ω 下拉/上拉电阻
  • 快速传播时间(典型值为 28ns)
  • 出色的传播延迟匹配
    (典型值为 1.5ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 独立的高侧和低侧
    TTL 逻辑输入
  • 1.2A/5A 峰值拉/灌电流
  • 高侧浮动偏置电压轨
    工作电压高达 100VDC
  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离输出实现可调的
    开通/关断强度
  • 0.6Ω/2.1Ω 下拉/上拉电阻
  • 快速传播时间(典型值为 28ns)
  • 出色的传播延迟匹配
    (典型值为 1.5ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗

LM5113 器件专为同时驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 而设计。浮动高侧驱动器能够驱动工作电压高达 100V 的增强模式 GaN FET。该器件采用自举技术生成高侧偏置电压,并在内部将其钳位在 5.2V,从而防止栅极电压超出增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LM5113 的输入与 TTL 逻辑兼容,并且无论 VDD 电压如何,最高都能够承受 14V 的输入电压。LM5113 具有分栅输出,可独立灵活地调节开通和关断强度。

LMG1205 是 LM5113 的增强版。LMG1205 沿用了 LM5113 的设计,包括启动逻辑、电平转换器和断电 Vgs 钳位增强,提供更加强大可靠的解决方案。

此外,LM5113 具有强劲的灌电流能力,可使栅极保持低电平状态,从而防止开关操作期间发生意外导通。LM5113 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113 采用标准的 WSON-10 引脚封装和 12 凸点 DSBGA 封装。WSON-10 引脚封装包含外露焊盘,有助于提升散热性能。DSBGA 封装具有紧凑型特点,并且封装电感极低。

LM5113 器件专为同时驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧增强模式氮化镓 (GaN) FET 而设计。浮动高侧驱动器能够驱动工作电压高达 100V 的增强模式 GaN FET。该器件采用自举技术生成高侧偏置电压,并在内部将其钳位在 5.2V,从而防止栅极电压超出增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LM5113 的输入与 TTL 逻辑兼容,并且无论 VDD 电压如何,最高都能够承受 14V 的输入电压。LM5113 具有分栅输出,可独立灵活地调节开通和关断强度。

LMG1205 是 LM5113 的增强版。LMG1205 沿用了 LM5113 的设计,包括启动逻辑、电平转换器和断电 Vgs 钳位增强,提供更加强大可靠的解决方案。

此外,LM5113 具有强劲的灌电流能力,可使栅极保持低电平状态,从而防止开关操作期间发生意外导通。LM5113 的工作频率最高可达数 MHz。LM5113 采用标准的 WSON-10 引脚封装和 12 凸点 DSBGA 封装。WSON-10 引脚封装包含外露焊盘,有助于提升散热性能。DSBGA 封装具有紧凑型特点,并且封装电感极低。

下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 14
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LM5113 80V 1.2A、5A 半桥 GaN 驱动器 数据表 (Rev. I) PDF | HTML 英语版 (Rev.I) PDF | HTML 2019年 12月 12日
EVM 用户指南 AN-2149 LM5113 Evaluation Board User's Guide (Rev. B) PDF | HTML 2024年 3月 27日
应用简报 Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs PDF | HTML 2022年 8月 4日
应用简报 Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors PDF | HTML 2022年 8月 4日
应用简报 How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies PDF | HTML 2022年 8月 2日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日
应用手册 Design Considerations for LMG1205 Advanced GaN FET Driver During High-Frequency (Rev. A) 2018年 5月 30日
技术文章 Create a power supply for an MRI application PDF | HTML 2017年 8月 14日
白皮书 证明 GaN 产品可靠性的一整套综合算法 英语版 2016年 3月 30日
白皮书 GaN power module performance advantage in DC/DC converters 2015年 3月 2日
白皮书 Advancing Power Supply Solutions Through the Promise of GaN 2015年 2月 24日
更多文献资料 增強型 GaN 功率 FET 柵極驅動器 2012年 2月 27日
更多文献资料 LM5113 Prod Brief - 5A, 100V Half-Brdge Gate Drvr for Enhancement-Mode GaN FETs 2011年 6月 17日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

仿真模型

LM5113 PSpice Transient Model (Rev. D)

SNVM043D.ZIP (43 KB) - PSpice Model
仿真模型

LM5113 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)

SNVM460A.TSC (613 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

LM5113 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNVM459A.ZIP (16 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

LM5113 Unencrypted Spice Transient Model (Rev. B)

SNVJ002B.ZIP (2 KB) - PSpice Model
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

PMP4486 — 具有 3 路输出的 48V 输入电压数字 POL 参考设计

PMP4486 是一款基于 GaN 的参考设计解决方案,适用于电信和计算应用。GaN 模块 LMG5200 可实现高效率单级转换,输入范围从 36 至 60V 向下一直到 29V、12V 和 1.0V。此设计展示了具有高集成度和低开关损耗的基于 GaN 的设计所具有的优势。低成本 ER18 平面 PCB 变压器嵌于板上。此参考设计尺寸紧凑 (56mmX86mmX16mm)。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP4435 — 具有 GaN FET 的 48V 输入、300W 1/8 砖型数字模块参考设计

PMP4435 是一款面向工业和电信应用并且采用 GaN mosfet 的直流-直流隔离式数字模块参考设计。直流输入范围为 36V-60V,其中典型输入为 12V,而输出为 12V/5A。此设计中采用了数字控制器 UCD3138A。效率高达 95.8%,同时提供良好的热性能。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 下载
DSBGA (YFX) 12 查看选项
WSON (DPR) 10 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频