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LM5109B-Q1

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具有 8V UVLO 和高抗扰度的汽车类 1A、100V 半桥栅极驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.03 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual inputs
WSON (NGT) 8 16 mm² 4 x 4
  • 符合汽车类 应用标准
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
    • 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 1C
    • 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A
  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流/1.0A 拉电流）
  • 独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入
  • 自举电源电压高达 108V（直流）
  • 短暂传播时间（典型值为 30ns）
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装

应用

  • 推挽转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正向电源转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 符合汽车类 应用标准
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
    • 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 1C
    • 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A
  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流/1.0A 拉电流）
  • 独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入
  • 自举电源电压高达 108V（直流）
  • 短暂传播时间（典型值为 30ns）
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装

应用

  • 推挽转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正向电源转换器

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LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器，设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型 WSON(8) 封装。

LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器，设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型 WSON(8) 封装。
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* 数据表 LM5109B-Q1 高电压 1A 峰值半桥栅极驱动器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2016年 4月 29日
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