LM5109B-Q1
- 符合汽车类 应用标准
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
- 器件温度 1 级
- 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 1C
- 器件组件充电模型 (CDM) ESD 分类等级 C4A
- 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 1A 峰值输出电流(1.0A 灌电流/1.0A 拉电流)
- 独立的晶体管-晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体 (TTL/CMOS) 兼容输入
- 自举电源电压高达 108V(直流)
- 短暂传播时间(典型值为 30ns)
- 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
- 优异的传播延迟匹配(典型值为 2ns)
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 耐热增强型晶圆级小外形无引线 (WSON)-8 封装
应用
- 推挽转换器
- 半桥和全桥电源转换器
- 固态电机驱动器
- 双开关正向电源转换器
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LM5109B-Q1 是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器,设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过兼容 TTL/CMOS 的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型 WSON(8) 封装。
技术文档
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查看全部 5 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | LM5109B-Q1 高电压 1A 峰值半桥栅极驱动器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2016年 4月 29日 |
应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 |
设计和开发
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