主页 电源管理 电源开关 理想二极管/ORing 控制器

LM5050-1-Q1

正在供货

汽车类 5V 至 75V、400uA IQ ORing FET 控制器

产品详情

Vin (min) (V) 5 Vin (max) (V) 75 Number of channels 1 Features AUX input, Linear control, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (typ) (mA) 0.4 Iq (max) (mA) 0.79 TI functional safety category Functional Safety-Capable FET External single FET IGate source (typ) (µA) 31 IGate source (max) (µA) 41 IGate sink (typ) (mA) 2.8 IGate pulsed (typ) (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 150 VSense reverse (typ) (mV) -41, -28 Design support EVM, Simulation Model Rating Automotive Imax (A) 250 VGS (max) (V) 14 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Device type ORing controller Product type ORing controller
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SOT-23-THN (DDC) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1(高达 150°C TJ)和 LM5050Q1MK-1(高达 125°C TJ
  • 提供功能安全
    • 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 宽工作输入电压范围 VIN:1V 至 75V(VIN < 5V 时需要 VBIAS
  • 100V 瞬态电压
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 针对电流反向 50ns 快速响应
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 超小 VDS 关断电压,可缩短关断时间
  • 封装:SOT-6(薄型 SOT-23-6)
  • 提供标准和符合 AEC-Q100 标准版本的 LM5050Q0MK-1(高达 150°C TJ)和 LM5050Q1MK-1(高达 125°C TJ
  • 提供功能安全
    • 提供文档以帮助创建功能安全系统设计
  • 宽工作输入电压范围 VIN:1V 至 75V(VIN < 5V 时需要 VBIAS
  • 100V 瞬态电压
  • 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器
  • 针对电流反向 50ns 快速响应
  • 2A 峰值栅极关断电流
  • 超小 VDS 关断电压,可缩短关断时间
  • 封装:SOT-6(薄型 SOT-23-6)

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作,当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器,从而降低功率损耗和压降。

LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动,以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源,可承受高达 100V 的瞬态电压。

LM5050-1/-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器与外部 MOSFET 配合工作,当与电源串联时则用作理想的二极管整流器。此 ORing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器,从而降低功率损耗和压降。

LM5050-1/-Q1 控制器为外部 N 沟道 MOSFET 和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动,以在电流反向流动时关断 FET。LM5050-1/-Q1 可连接 5V 至 75V 的电源,可承受高达 100V 的瞬态电压。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 LM5050-1、LM5050-1-Q1 高侧 OR-ing FET 控制器 数据表 (Rev. F) PDF | HTML 英语版 (Rev.F) PDF | HTML 2020年 5月 19日
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设计和开发

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设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 下载
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订购和质量

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  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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