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LM3153

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SIMPLE SWITCHER® 42V 同步降压控制器

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产品详情

Vin (min) (V) 6 Vin (max) (V) 42 Iout (max) (A) 12 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Control mode COT with emulated ripple Rating Catalog Vout (min) (V) 3.3 Vout (max) (V) 3.3 Iq (typ) (A) 0.0036 Duty cycle (max) (%) 72
Vin (min) (V) 6 Vin (max) (V) 42 Iout (max) (A) 12 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Control mode COT with emulated ripple Rating Catalog Vout (min) (V) 3.3 Vout (max) (V) 3.3 Iq (typ) (A) 0.0036 Duty cycle (max) (%) 72
HTSSOP (PWP) 14 32 mm² 5 x 6.4
  • PowerWise®降压控制器
  • 6V至42V宽输入电压范围
  • 固定的输出电压3.3V
  • 固定的开关频率: 250 kHz、 500 kHz 和 750 kHz
  • 无需外置环路补偿
  • 完全WEBENCH®适用
  • 最少外置元件数
  • 固定导通时间控制
  • 超快瞬态响应
  • 稳定兼容于低ESR电容器
  • 输出电压预偏压启动
  • 谷值电流限制
  • 可编程软启动
  • PowerWise®降压控制器
  • 6V至42V宽输入电压范围
  • 固定的输出电压3.3V
  • 固定的开关频率: 250 kHz、 500 kHz 和 750 kHz
  • 无需外置环路补偿
  • 完全WEBENCH®适用
  • 最少外置元件数
  • 固定导通时间控制
  • 超快瞬态响应
  • 稳定兼容于低ESR电容器
  • 输出电压预偏压启动
  • 谷值电流限制
  • 可编程软启动

LM3151/2/3 SIMPLE SWITCHER® 控制器是一款简单易用，且可在典型应用中提供达12A输出电流的简易降压电源控制器。工 作输入电压范围为6V-42V 的LM3151/2/3可输出固定的 3.3V电压及 250 kHz、 500 kHz 和 750 kHz开关频率。同步架构提供了 更高效的设计。具有已注册专利的仿纹波模式(ERM)控制技术的LM3151/2/3控制器采用固定导通时间(COT)结构，可使用低等效 串联电阻(ESR)输出电容器，从而降低了整体设计方案尺寸和输出电压纹波。固定导通时间(COT)调节结构具有特快的瞬态响应，且 无需外置环路补偿，有助于减少外置元件数和降低设计复杂性。故障保护特性，比如热关断、欠电压锁定、过电压保护、短路保 护、电流限制以及输出电压预偏压启动使一种可靠且稳定的解决方案得以实现。

LM3151/2/3 SIMPLE SWITCHER® 方案使用最少外置元件数和美国国家半导体的WEBENCH®网上设计工具来完成整套易用设 计。WEBENCH®为每步设计过程提供设计支持，包括使用新的MOSFET 选择器进行外置元件计算、电气模拟、热模拟和建模板等。

LM3151/2/3 SIMPLE SWITCHER® 控制器是一款简单易用，且可在典型应用中提供达12A输出电流的简易降压电源控制器。工 作输入电压范围为6V-42V 的LM3151/2/3可输出固定的 3.3V电压及 250 kHz、 500 kHz 和 750 kHz开关频率。同步架构提供了 更高效的设计。具有已注册专利的仿纹波模式(ERM)控制技术的LM3151/2/3控制器采用固定导通时间(COT)结构，可使用低等效 串联电阻(ESR)输出电容器，从而降低了整体设计方案尺寸和输出电压纹波。固定导通时间(COT)调节结构具有特快的瞬态响应，且 无需外置环路补偿，有助于减少外置元件数和降低设计复杂性。故障保护特性，比如热关断、欠电压锁定、过电压保护、短路保 护、电流限制以及输出电压预偏压启动使一种可靠且稳定的解决方案得以实现。

LM3151/2/3 SIMPLE SWITCHER® 方案使用最少外置元件数和美国国家半导体的WEBENCH®网上设计工具来完成整套易用设 计。WEBENCH®为每步设计过程提供设计支持，包括使用新的MOSFET 选择器进行外置元件计算、电气模拟、热模拟和建模板等。
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  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
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  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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