ISO5851 2.5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器 - ISO5851

ISO5851 (正在供货)

ISO5851 2.5A 隔离式 IGBT、MOSFET 栅极驱动器

 

描述

ISO5851 是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器,具有 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 3V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出侧支持的电源电压范围为 15V 至 30V。两路互补 CMOS 输入控制栅极驱动器输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。

内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过载状态。当检测到 DESAT 时,栅极驱动器输出会被拉低为 VEE2 电势,从而将 IGBT 立即关断。

当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。FLT 的输出状态将被锁存,可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT,输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。

当发生去饱和故障时,器件会通过隔离隔栅发送故障信号,以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。FLT 的输出状态将被锁存,可通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。

如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT,输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极,那么可采用有源米勒钳位,这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流,从而防止 IGBT 在高电压瞬态条件下发生动态导通。

栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制,这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足,RDY 输出会变为低电平;否则,该输出为高电平。

ISO5851 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装。此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。

特性

  • 在 VCM = 1500V 时,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/µs
  • 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
  • 短暂传播延迟:76ns(典型值),
    110ns(最大值)
  • 2A 有源米勒钳位
  • 输出短路钳位
  • 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警并通过 RST 复位
  • 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
  • 有源输出下拉特性,在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
  • 3V 至 5.5V 输入电源电压
  • 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
  • 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
  • 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
  • 工作环境温度范围:-40°C 至 +125°C
  • 可承受的浪涌隔离电压达 12800VPK
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS 隔离
    • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
    • GB4943.1-2011 CQC 认证

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参数 与其它产品相比 隔离式栅极驱动器

 
Isolation Rating (Vrms)
DIN V VDE V 0884-10 Transient Overvoltage Rating (Vpk)
DIN V VDE V 0884-10 Working Voltage (Vpk)
Number of Channels (#)
Power Switch
Enable/Disable Function
Output VCC/VDD (Max) (V)
Output VCC/VDD (Min) (V)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Peak Output Current (A)
Prop Delay (ns)
Prop Delay (Max) (ns)
Operating Temperature Range (C)
Package Group
ISO5851 ISO5451
5700    5700   
8000    8000   
2121    1420   
1    1   
IGBT
SiCFET   
IGBT
SiCFET   
N/A    N/A   
30    30   
15    15   
3    3   
5.5    5.5   
5    5   
76    76   
110    110   
-40 to 125    -40 to 125   
SOIC    SOIC   

其它合格版本 ISO5851

版本 器件型号 定义
汽车电子 ISO5851-Q1 Q100 适用于追求零缺陷的高可靠性汽车电子应用的器件