ESDS302

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适用于 USB 和以太网且具有 12A 8/20uS 浪涌额定值的双通道 2.3pF、3.6V、±30kV ESD 保护二极管

产品详情

Package name SOT-23 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 85 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 2 IO capacitance (typ) (pF) 2.3 Clamping voltage (V) 5.5 Breakdown voltage (min) (V) 4.5
Package name SOT-23 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 85 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 2 IO capacitance (typ) (pF) 2.3 Clamping voltage (V) 5.5 Breakdown voltage (min) (V) 4.5
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 空气间隙放电
  • IEC 61000-4-4 EFT 保护:
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护:
    • 12A (8/20µs)
    • 低浪涌钳位电压为 6V(在 12A Ipp 下)
  • IO 电容:
    • 2.3pF(典型值)
  • 直流击穿电压:4.5V(最小值)
  • 超低漏电流:3nA(典型值)
  • 支持速率高达 1Gbps 的高速接口
  • 工业温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 简易直通布线封装 (ESDS302)
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 空气间隙放电
  • IEC 61000-4-4 EFT 保护:
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护:
    • 12A (8/20µs)
    • 低浪涌钳位电压为 6V(在 12A Ipp 下)
  • IO 电容:
    • 2.3pF(典型值)
  • 直流击穿电压:4.5V(最小值)
  • 超低漏电流:3nA(典型值)
  • 支持速率高达 1Gbps 的高速接口
  • 工业温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 简易直通布线封装 (ESDS302)

ESDS302 和 ESDS304 器件是分别采用两通道和四通道配置的单向 TVS ESD 保护二极管阵列,用于高达 12A (8/20µs) 的以太网和 USB 浪涌保护。ESDS302、ESDS304 器件的额定 ESD 冲击消散值高达 30kV,符合 IEC 61000-4-2 国际标准(> 4 级)。

这些器件具有每通道 2.3pF IO 电容,因此非常适用于保护 Ethernet™ 1G 和 USB 2.0 等高速接口。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。

ESDS302 和 ESDS304 器件采用业界通用的 5 引脚 SOT23 封装。

ESDS302 和 ESDS304 器件是分别采用两通道和四通道配置的单向 TVS ESD 保护二极管阵列,用于高达 12A (8/20µs) 的以太网和 USB 浪涌保护。ESDS302、ESDS304 器件的额定 ESD 冲击消散值高达 30kV,符合 IEC 61000-4-2 国际标准(> 4 级)。

这些器件具有每通道 2.3pF IO 电容,因此非常适用于保护 Ethernet™ 1G 和 USB 2.0 等高速接口。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。

ESDS302 和 ESDS304 器件采用业界通用的 5 引脚 SOT23 封装。

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