CSD97370Q5M

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30V 25A SON 5 x 6mm 同步降压 NexFET™ 功率级

产品详情

VDS (V) 30 Power loss (W) 2.8 Ploss current (A) 25 Configuration PowerStage ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 40 Operating temperature range (°C) -55 to 150 Features Ultra-low inductance package Rating Catalog
VDS (V) 30 Power loss (W) 2.8 Ploss current (A) 25 Configuration PowerStage ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 40 Operating temperature range (°C) -55 to 150 Features Ultra-low inductance package Rating Catalog
LSON-CLIP (DQP) 22 30 mm² 6 x 5
  • 25A 电流下 90% 的系统效率
  • 输入电压高达 22V
  • 高频率工作(高达 2MHz)
  • 整合电源块技术
  • 高密度 — SON 5 毫米 × 6 毫米封装
  • 低功耗:2.8W(在 25A 电流下)
  • 超低电感封装
  • 系统优化 PCB 焊脚
  • 可兼容 3.3V 及 5V PWM 信号
  • 三态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 预偏置启动保护
  • 贯通保护
  • 符合 RoHS 标准——无铅型触电无卤素电镀
  • 25A 电流下 90% 的系统效率
  • 输入电压高达 22V
  • 高频率工作(高达 2MHz)
  • 整合电源块技术
  • 高密度 — SON 5 毫米 × 6 毫米封装
  • 低功耗:2.8W(在 25A 电流下)
  • 超低电感封装
  • 系统优化 PCB 焊脚
  • 可兼容 3.3V 及 5V PWM 信号
  • 三态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 预偏置启动保护
  • 贯通保护
  • 符合 RoHS 标准——无铅型触电无卤素电镀

CSD97370Q5M NexFET 功率级是一款优化型设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。 该产品集成了一个增强型栅极驱动器 IC 与电源块技术,以完善功率级开关功能。 这种组合形成了一个高电流、高效率、高速开关器件,并凭借其大尺寸的以地面为基础的热垫,在小型 5mm x 6mm 外形封装内提供了一个出色的热源解决方案。 此外,还对 PCB 的器件封装进行了优化,以帮助缩短设计时间并简化整个系统设计方案的完成。

CSD97370Q5M NexFET 功率级是一款优化型设计,适用于高功率、高密度同步降压转换器。 该产品集成了一个增强型栅极驱动器 IC 与电源块技术,以完善功率级开关功能。 这种组合形成了一个高电流、高效率、高速开关器件,并凭借其大尺寸的以地面为基础的热垫,在小型 5mm x 6mm 外形封装内提供了一个出色的热源解决方案。 此外,还对 PCB 的器件封装进行了优化,以帮助缩短设计时间并简化整个系统设计方案的完成。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 同步降压 NexFET™ 功率级 - CSD97370Q5M 数据表 (Rev. C) 英语版 (Rev.C) PDF | HTML 2012年 2月 23日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. K) 2018年 7月 31日
选择指南 电源管理指南 2018 (Rev. R) 2018年 6月 25日

设计和开发

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仿真模型

CSD97370Q5M PSpice Transient Model

SLPM193.ZIP (16 KB) - PSpice Model
仿真模型

CSD97370Q5M TINA-TI Spice Transient Model

SLPM256.ZIP (13 KB) - TINA-TI Spice Model
封装 引脚 下载
LSON-CLIP (DQP) 22 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频