CSD87503Q3E (正在供货)

CSD87503Q3E

CSD87503Q3E - CSD87503Q3E
 

描述

CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源极、双路 N 沟道器件,专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3 × 3.3mm SON 器件具有低漏极至漏极导通电阻,可最大限度地较少损耗,且具有较少的组件数量,适用于空间受限的 应用。

特性

  • 双 N 沟道共源极 MOSFET
  • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
  • 低热阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD87503Q3E
30   
Dual Common Source   
21.9   
16.9   
89   
13.4   
5.8   
SON3x3   
17.3   
20   
1.7   
10   
Yes