ZHCSEH7 December 2015 CSD87502Q2

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1社区资源
    2. 6.2商标
    3. 6.3静电放电警告
    4. 6.4Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1封装尺寸
    2. 7.2印刷电路板 (PCB) 焊盘图案
    3. 7.3建议模板开口
    4. 7.4Q2 卷带信息

1 特性

  • 低导通电阻
  • 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动器而优化
  • 雪崩级
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

2 应用范围

  • 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
  • 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
  • 电池保护

3 说明

CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET,采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源 应用。此外,这些 NexFET™功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大限度地降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型 应用。

顶视图和电路图
CSD87502Q2 Front_Page_2.gif

产品概要

TA=25°C 典型值单位
VDS 漏源电压30V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V)2.2nC
Qgd 栅极电荷 栅极到漏极0.5nC
RDS(on) 漏源导通电阻VGS = 3.8V42.0
VGS = 4.5V35.5
VGS = 10V27.0
VGS(th) 阈值电压1.6V

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订购信息(1)

器件包装介质数量封装运输
CSD87502Q27 英寸卷带3000SON 2mm x 2mm
塑料封装
卷带封装
CSD87502Q2T7 英寸卷带250
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VDS漏源电压30V
VGS栅源电压±20V
ID 持续漏极电流(受封装限制)5.0A
IDM脉冲漏极电流(1) 23A
PD功率耗散(2) 2.3W
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 150°C
EAS雪崩能量,单一脉冲
ID = 7.9A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
3.1mJ
  1. 最大 RθJA = 185°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。
  2. RθJA = 55°C/W,这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD87502Q2 D007_SLPS560.gif

栅极电荷

CSD87502Q2 D004_SLPS560_FP.gif