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CSD87502Q2 (正在供货)

CSD87502Q2

CSD87502Q2 - CSD87502Q2
 

描述

CSD87502Q2 是一款 30V、27mΩ N 沟道器件。它具有两个独立的 MOSFET,采用 2mm x 2mm SON 塑料封装。这两个场效应管 (FET) 采用半桥配置,适用于同步降压等电源 应用。此外,这些 NexFET功率 MOSFET 还可用于适配器、USB 输入保护和电池充电 应用。两个 FET 的漏源导通电阻均较低,可最大限度地降低损耗并减少元件数,非常适合空间受限型 应用。

特性

  • 低导通电阻
  • 两个独立的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 节省空间的小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装
  • 针对 5V 栅极驱动器而优化
  • 雪崩级
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
  • 针对笔记本个人电脑 (PC) 和平板电脑的适配器或 USB 输入保护
  • 电池保护

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, package limited (A)
Logic Level
Rating
CSD87502Q2 CSD85301Q2
30     20    
Dual     Dual    
42     27    
32.4      
23     26    
2.2     4.2    
0.5     1    
SON2x2     SON2x2    
  33    
20     10    
1.6     0.9    
5     5    
Yes     Yes    
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