CSD87501L CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET™ 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD87501L (正在供货)

CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET™ 功率 MOSFET - CSD87501L
 

描述

这款 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET 功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。 该器件尺寸小并采用共漏极配置,非常适合多节电池组应用和小型手持设备。

特性

  • 低导通电阻
  • 3.37 × 1.47mm 小外形封装
  • 超薄 - 厚度为 0.2mm
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护

应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护
  • USB C 型/PD

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
Rating
CSD87501L CSD83325L CSD85302L CSD87313DMS
30     12     20     30    
Dual Common Drain     Dual     Dual Common Drain     Dual Common Drain    
5.5     5.9     24     5.5    
3.9          
72     52     37      
15     8.4     6     28    
6     1.9     1.4     6    
LGA     LGA     LGA 1.35x1.35     SON3x3    
  8.4     29     6.6    
20     10     10     10    
1.8     0.95     0.9     0.9    
Yes     Yes     Yes     Yes    
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