ZHCSEH8 November 2015 CSD85302L

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1社区资源
    2. 6.2商标
    3. 6.3静电放电警告
    4. 6.4Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1封装尺寸
    2. 7.2推荐的 PCB 布局
    3. 7.3推荐的模板布局
    4. 7.4Q3A 卷带信息

1 特性

  • 共漏极配置
  • 低导通电阻
  • 1.35mm × 1.35mm 小外形封装
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 保护 > 2.5kV

2 应用

  • USB Type-C/PD
  • 电池管理
  • 电池保护

3 说明

这款 20V、18.7mΩ、采用 1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 设计为在最小外形尺寸中最大限度地降低电阻。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

俯视图
CSD85302L Pin_Map.png
配置
CSD85302L Configuration.gif

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产品概要

TA=25°C 典型值单位
VS1S2 源源电压20V
Qg 栅极电荷总量 (4.5V)6nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极)1.4nC
RS1S2(on) 源源导通电阻VGS = 2.5V29
VGS = 4.5V20
VGS = 6.5V18.7
VGS(th) 阈值电压0.9V

订购信息(1)

器件数量包装介质 封装 运输
CSD85302L30007 英寸卷带1.35mm × 1.35mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装卷带封装
CSD85302LT250
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VS1S2源源电压20V
VGS栅源电压±10 V
IS 持续源极电流(1)7A
ISM脉冲源极电流(2)37A
PD 功率耗散(1)1.7W
V(ESD)人体放电模式 (HBM)2.5kV
TJ
Tstg
运行结温和
储存温度范围
-55 至 150°C
  1. RθJA = 75℃/W,这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值。
  2. RθJA = 90℃/W(最大值),脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

.

RDS(on) 与 VGS 间的关系

CSD85302L D007_SLPS558.gif

.

栅极电荷

CSD85302L D004_SLPS558_FP.gif