CSD83325L,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET - CSD83325L

CSD83325L (正在供货)

CSD83325L,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

描述

这款 12V、9.9mΩ、采用 2.2mm × 1.15mm 接合栅格阵列 (LGA) 封装的双路 NexFET功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

特性

  • 共漏极配置
  • 低导通电阻
  • 2.2mm × 1.15mm 小外形封装
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护

应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
CSD83325L CSD85302L CSD87313DMS CSD87501L
12    20    30    30   
Dual    Dual Common Drain    Dual Common Drain    Dual Common Drain   
5.9    24    5.5    5.5   
      3.9   
52    37      72   
8.4    6.0    28    15   
1.9    1.4    6.0    6   
LGA    LGA 1.35x1.35    SON3x3    LGA   
8.4    29    6.6     
4.9    20    4.6    4.6   
10    10    10    20   
0.95    0.90    0.9    1.8   
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Vin
Min
V
  Max
V
   
 
  Output Vout
V
  Iout
A
 
 
  Ambient Temp °C    
 
  Multiple Loads

  Single Output
 
 

FPGA Power Processor Power

All
Actel
Altera
Lattice
Xilinx

TI
All

  Multiple Loads
  Multiple Loads
 

 
 
 

Vin (V)
Min
  Max
 
Op. Temperature °C
 
Optional Light Output (Lumens)
 
 
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