CSD83325L CSD83325L,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD83325L (正在供货)

CSD83325L,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD83325L,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET - CSD83325L
 

描述

此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

特性

  • 共漏极结构
  • 低导通电阻
  • 2.2mm × 1.15mm 小外形封装
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅极静电 (ESD) 保护

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
Rating
CSD83325L CSD85302L CSD87313DMS CSD87501L
12     20     30     30    
Dual     Dual Common Drain     Dual Common Drain     Dual Common Drain    
5.9     24     5.5     5.5    
      3.9    
52     37       72    
8.4     6     28     15    
1.9     1.4     6     6    
LGA     LGA 1.35x1.35     SON3x3     LGA    
8.4     29     6.6      
10     10     10     20    
0.95     0.9     0.9     1.8    
Yes     Yes     Yes     Yes    
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