CSD83325L (正在供货)

CSD83325L,双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

描述

此 12V、9.9mΩ、2.2mm × 1.15mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置,非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。

特性

  • 共漏极结构
  • 低导通电阻
  • 2.2mm × 1.15mm 小外形封装
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅极静电 (ESD) 保护

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
CSD83325L CSD85302L CSD87313DMS CSD87501L
12    20    30    30   
Dual    Dual Common Drain    Dual Common Drain    Dual Common Drain   
5.9    24    5.5    5.5   
      3.9   
52    37      72   
8.4    6    28    15   
1.9    1.4    6    6   
LGA    LGA 1.35x1.35    SON3x3    LGA   
8.4    29    6.6     
4.9    20    4.6    4.6   
10    10    10    20   
0.95    0.9    0.9    1.8   
Yes    Yes    Yes    Yes