CSD25501F3 –20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD25501F3 (正在供货)

–20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET

 

描述

这款 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化,能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。

特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 0.7mm × 0.6mm
  • 薄型
    • 最大高度为 0.22mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准

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参数 与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
Rating
CSD25501F3 CSD23280F3 CSD23382F4 CSD25213W10 CSD25480F3
-20     -12     -12     -20     -20    
-20     -6     -8     -6     -12    
Single     Single     Single     Single     Single    
76     116     76     47     159    
125     165     105     67     260    
260     250     199       840    
-13.6     -11.4     -22     -16     -10.4    
-3.6     -1.8     -3.5     -1.6     -1.7    
1.02     0.95     1.04     2.2     0.7    
0.09     0.068     0.15     0.14     0.1    
0.45     0.3     0.5     0.74     0.26    
-0.75     -0.65     -0.8     -0.85     -0.95    
LGA 0.6x0.7     LGA 0.6x0.7     LGA 0.6x1.0     WLP 1.0x1.0     LGA 0.6x0.7    
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