CSD19538Q3A CSD19538Q3A | 德州仪器 TI.com.cn

CSD19538Q3A (正在供货)

CSD19538Q3A

CSD19538Q3A - CSD19538Q3A
 

描述

这款 100V、49mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在以最大限度降低导通损耗并减小以太网供电 (PoE) 应用中的电路板 尺寸。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

All trademarks are the property of their respective owners.

查看更多内容

参数 与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
Rating
CSD19538Q3A CSD19537Q3 CSD19538Q2
100     100     100    
Single       Single    
61     14.5     59    
36     219     34.4    
4.3     16     4.3    
0.8     2.9     0.8    
SON3x3     SON3x3     SON2x2    
20     20     20    
3.2     3     3.2    
13.7     53     13.1    
15     50     14.4    
No     No     No    
Catalog     Catalog     Catalog