ZHCSE28A August 2015  – May 2016 CSD19537Q3

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1社区资源
    2. 6.2商标
    3. 6.3静电放电警告
    4. 6.4Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1Q3 封装尺寸
    2. 7.2建议 PCB 布局
    3. 7.3建议模版开孔
    4. 7.4Q3 卷带信息

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用范围

  • 一次侧隔离式转换器
  • 电机控制

说明

这款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗。

顶视图
CSD19537Q3 p0095-01_lps202.gif

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产品概要

TA = 25°C 典型值单位
VDS 漏源电压100V
Qg 栅极电荷总量 (10V)16nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极)2.9nC
RDS(on) 漏源导通电阻VGS = 6V13.8
VGS = 10V12.1
VGS(th) 阈值电压3V

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订购信息(1)

器件包装介质数量封装运输
CSD19537Q313 英寸卷带2500SON 3.3 x 3.3mm
塑料封装
卷带封装
CSD19537Q3T13 英寸卷带250
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VDS漏源电压100V
VGS栅源电压±20V
ID 持续漏极电流(受封装限制)50A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得53A
持续漏极电流(1) 9.7A
IDM脉冲漏极电流(2) 219A
PD功率耗散(1) 2.8W
功率耗散,TC = 25°C83W
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 150°C
EAS雪崩能量,单一脉冲
ID = 33A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
55mJ
  1. RθJA = 45°C/W,这是在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 1.5°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%.

RDS(on) 与 VGS 对比

CSD19537Q3 D007_SLPS549.gif

栅极电荷

CSD19537Q3 D004_SLPS549_FP.gif