CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET - CSD19537Q3

CSD19537Q3 (正在供货)

CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

描述

这款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
CSD19537Q3 CSD19531Q5A CSD19532Q5B CSD19533Q5A CSD19534Q5A CSD19538Q2 CSD19538Q3A
100    100    100    100    100    100    100   
  Single    Single    Single    Single    Single    Single   
14.5    6.4    4.9    9.5    15.1    59    61   
219    337    400    231    137    34.4    36   
16    37    48    27    17    4.3    4.3   
2.9    6.6    8.7    4.9    3.2    0.8    0.8   
SON3x3    SON5x6    SON5x6    SON5x6    SON5x6    SON2x2    SON3x3   
20    20    20    20    20    20    20   
3    2.7    2.6    2.8    2.8    3.2    3.2   
53    110    140    75    44    13.1    13.7   

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Vin
Min
V
  Max
V
 
Output Vout
V
  Iout
A
Ambient Temp °C  
Multiple Loads
Single Output
FPGA Power Processor Power
All
Actel
Altera
Lattice
Xilinx
TI
All
Multiple Loads
Multiple Loads
 

Vin (V)
Min
Max
Op. Temperature °C
Optional Light Output (Lumens)