ZHCSDH9B March 2015  – August 2016 CSD19536KTT

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1接收文档更新通知
    2. 6.2社区资源
    3. 6.3商标
    4. 6.4静电放电警告
    5. 6.5Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1KTT 封装尺寸
    2. 7.2推荐的 PCB 布局
    3. 7.3建议模版开孔

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

应用

  • 次级侧同步整流器
  • 热插拔
  • 电机控制

说明

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

空白

引脚分配
CSD19536KTT FET_Pins.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值单位
VDS漏源电压100V
Qg栅极电荷总量 (10V)118nC
Qgd栅极电荷(栅极到漏极)17nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 6V2.2
VGS = 10V2
VGS(th)阈值电压2.5V

器件信息(1)

器件数量包装介质封装运输
CSD19536KTT50013 英寸卷带D2PAK 塑料封装卷带封装
CSD19536KTTT50
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VDS漏源电压100V
VGS栅源电压±20V
ID 持续漏极电流
(受封装限制)
200A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得272
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 100°C 时测得 192
IDM脉冲漏极电流(1) 400A
PD功率耗散 375W
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 175°C
EAS雪崩能量,单脉冲
ID = 127A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
806mJ
  1. 最大 RθJC = 0.4°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

.

RDS(on) 与 VGS 对比

CSD19536KTT D007_SLPS540.gif

栅极电荷

CSD19536KTT D004_SLPS540_FP.gif