CSD19536KTT (正在供货)

CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

描述

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

All trademarks are the property of their respective owners.

查看更多内容

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD19536KTT CSD18535KTT CSD18536KTT CSD18542KTT CSD19505KTT CSD19506KTT CSD19532KTT CSD19535KTT
100    60    60    60    80    80    100    100   
Single    Single    Single    Single    Single    Single    Single    Single   
  2.9    2.2    5.1           
2.4    2    1.6    4    3.1    2.3    5.6    3.4   
400    400    400    400    400    400    400    400   
118    63    108    44    76    120    44    75   
17    10.4    14    6.9    11    20    17    11   
D2PAK    D2PAK    D2PAK    D2PAK    D2PAK    D2PAK    D2PAK    D2PAK   
  2.3    1.7    4           
20    20    20    20    20    20    20    20   
2.5    1.9    1.8    1.8    2.6    2.5    2.6    2.7   
272    279    349    170    212    291    136    197   
200    200    200    200    200    200    200    200   
No    Yes    Yes    Yes    No    No    No    No