CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET - CSD19536KTT

CSD19536KTT (正在供货)

CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

描述

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
CSD19536KTT CSD18535KTT CSD18536KTT CSD18542KTT CSD19505KTT CSD19506KTT CSD19532KTT CSD19535KTT
100    60    60    60    80    80    100    100   
Single    Single    Single    Single    Single    Single    Single    Single   
  2.9    2.2    5.1           
2.4    2    1.6    4    3.1    2.3    5.6    3.4   
400    400    400    400    400    400    400    400   
118    63    108    44    76    120    44    75   
17    10.4    14    6.9    11    20    17    11   
D2PAK    D2PAK    D2PAK    D2PAK    D2PAK    D2PAK    D2PAK    D2PAK   
  2.3    1.7    4           
20    20    20    20    20    20    20    20   
2.5    1.9    1.8    1.8    2.6    2.5    2.6    2.7   
272    279    349    170    212    291    136    197   
200                 

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Vin
Min
V
  Max
V
 
Output Vout
V
  Iout
A
Ambient Temp °C  
Multiple Loads
Single Output
FPGA Power Processor Power
All
Actel
Altera
Lattice
Xilinx
TI
All
Multiple Loads
Multiple Loads
 

Vin (V)
Min
Max
Op. Temperature °C
Optional Light Output (Lumens)