CSD19536KTT CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD19536KTT (正在供货)

CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET - CSD19536KTT
 

描述

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
Rating
CSD19536KTT CSD18535KTT CSD18536KTT CSD18542KTT CSD19505KTT CSD19506KTT CSD19532KTT CSD19535KTT
100     60     60     60     80     80     100     100    
Single     Single     Single     Single     Single     Single     Single     Single    
  2.9     2.2     5.1            
2.4     2     1.6     4     3.1     2.3     5.6     3.4    
400     400     400     400     400     400     400     400    
118     63     108     44     76     120     44     75    
17     10.4     14     6.9     11     20     5.6     11    
D2PAK     D2PAK     D2PAK     D2PAK     D2PAK     D2PAK     D2PAK     D2PAK    
20     20     20     20     20     20     20     20    
2.5     1.9     1.8     1.8     2.6     2.5     2.6     2.7    
272     279     349     170     212     291     136     197    
200     200     200     200     200     200     200     200    
No     Yes     Yes     Yes     No     No     No     No    
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