CSD19533Q5A 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A | 德州仪器 TI.com.cn

CSD19533Q5A (正在供货)

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19533Q5A - CSD19533Q5A
 

描述

这款 100V,7.8mΩ,SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 1.3°C/W,持续时间 ≤100μs,占空比 ≤1%

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 初级侧电信应用
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD19533Q5A CSD19531KCS CSD19531Q5A CSD19532Q5B CSD19533KCS CSD19534Q5A CSD19535KCS CSD19536KCS CSD19537Q3
100     100     100     100     100     100     100     100     100    
Single     Single     Single     Single     Single     Single     Single     Single      
9.5     7.7     6.4     4.9     10.5     15.1     3.6     2.7     14.5    
231     285     337     400     207     137     400     400     219    
27     38     37     48     27     17     78     118     16    
4.9     7.5     6.6     8.7     5.4     3.2     13     17     2.9    
SON5x6     TO-220     SON5x6     SON5x6     TO-220     SON5x6     TO-220     TO-220     SON3x3    
20     20     20     20     20     20     20     20     20    
2.8     2.7     2.7     2.6     2.8     2.8     2.7     2.5     3    
75     110     110     140     86     44     187     259     53    
100     100     100     100     100     40     150     150     50    
No     No     No     No     No     No     No     No     No