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CSD18511KCS (正在供货)

CSD18511KCS

 

描述

此 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗的理想选择。



特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
Rating
CSD18511KCS CSD18503KCS CSD18504KCS CSD18510KCS
40     40     40     40    
Single     Single     Single     Single    
4.2     6.8     10     2.6    
2.6     4.5     7     1.7    
400     358     238     400    
64     30     19     119    
9.7     4.6     3.5     21    
TO-220     TO-220     TO-220     TO-220    
20     20     20     20    
1.8     1.9     1.9     1.7    
194     142     89     274    
110     100     100     200    
Yes     Yes     Yes     Yes    
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