CSD18511KCS (正在供货)

CSD18511KCS

CSD18511KCS - CSD18511KCS
 

描述

此 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗的理想选择。



特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD18511KCS CSD18503KCS CSD18504KCS CSD18510KCS
40    40    40    40   
Single    Single    Single    Single   
4.2    6.8    10    2.6   
2.6    4.5    7    1.7   
400    358    238    400   
64    30    19    119   
9.7    4.6    3.5    21   
TO-220    TO-220    TO-220    TO-220   
3.2    5.4    8    2   
20    20    20    20   
1.8    1.9    1.9    1.7   
194    142    89    274   
110    100    100    200   
Yes    Yes    Yes    Yes