ZHCSCK1A June 2014  – May 2017 CSD18509Q5B

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1接收文档更新通知
    2. 6.2社区资源
    3. 6.3商标
    4. 6.4静电放电警告
    5. 6.5Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1Q5B 封装尺寸
    2. 7.2建议 PCB 布局
    3. 7.3建议模板布局
    4. 7.4Q5B 卷带信息

特性

  • 超低导通电阻
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

应用

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

说明

这个 40V,1mΩ,SON5x6 NexFET™功率 MOSFET 的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率 损耗。

顶视图
CSD18509Q5B P0093-01_LPS198.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值单位
VDS 漏源电压40V
Qg 栅极电荷总量 (10V)150nC
Qgd 栅极电荷 栅极到漏极17nC
RDS(on) 漏源导通电阻VGS = 4.5V1.3
VGS = 10V1.0
VGS(th) 阈值电压1.8V

订购信息(1)

器件数量介质 封装 出货
CSD18509Q5B250013 英寸卷带SON 5mm x 6mm 塑料封装卷带封装
CSD18509Q5BT2507 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VDS 漏源电压40V
VGS 栅源电压±20V
ID 持续漏极电流(受封装限制)100A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得299
持续漏极电流(1) 38
IDM 脉冲漏极电流,TA = 25°C 时测得(2) 400A
PD 功率耗散(1) 3.1W
功率耗散,TC = 25°C195
TJ
Tstg
运行结温和
储存温度范围
-55 至 150°C
EAS 雪崩能量,单脉冲
ID = 83,L = 0.1mH,RG = 25Ω
345mJ
  1. RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型值
  2. 最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 对比

CSD18509Q5B graph07_SLPS476.png

栅极电荷

CSD18509Q5B graph04_frontpage_SLPS476.png