ZHCSDO7B May 2015  – September 2017 CSD17484F4

PRODUCTION DATA. 

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1Electrical Characteristics
    2. 5.2Thermal Information
    3. 5.3Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1接收文档更新通知
    2. 6.2社区资源
    3. 6.3商标
    4. 6.4静电放电警告
    5. 6.5Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1机械尺寸
    2. 7.2建议的最小 PCB 布局
    3. 7.3推荐的模板布局

特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 高度为 0.2mm
  • 集成 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准

应用

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 电池应用
  • 手持式和移动类电感式触控不锈钢键盘参考设计

说明

这款 99mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化,能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。

典型部件尺寸
CSD17484F4 top_image_SLPS550.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值单位
VDS 漏源电压30V
Qg 总栅极电荷 (4.5V)920pC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极)75pC
RDS(on) 漏源导通电阻VGS = 1.8V170
VGS = 2.5V125
VGS = 4.5V107
VGS = 8.0V99
VGS(th) 阈值电压0.85V

器件信息(1)

器件数量包装介质封装发货
CSD17484F430007 英寸卷带Femto (0402)
1.00mm × 0.60mm
接合栅格阵列 (LGA)
卷带封装
CSD17484F4T250
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C单位
VDS漏源电压30V
VGS栅源电压12 V
ID 持续漏极电流(1)3.0A
IDM脉冲漏极电流(1)(2)18A
IG持续栅极钳位电流35mA
脉冲栅极钳位电流(2)350
PD 功率耗散500mW
V(ESD)人体模型 (HBM)4kV
带电器件模型 (CDM)2
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
–55 至 150°C
EAS雪崩能量,单脉冲 ID = 7.1A,
L = 0.1mH,RG = 25Ω
2.5mJ
  1. 典型 RθJA = 85°C/W(当在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上将其安装在 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz
    (0.071mm) 厚的铜焊盘上时)。
  2. 脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。
顶视图
CSD17484F4 Top_View_6.gif

修订历史记录

Changes from A Revision (August 2017) to B Revision

  • Deleted 删除了 CSD68830F4 压纹载带尺寸 部分Go

Changes from * Revision (May 2015) to A Revision