CSD17484F4 (正在供货)

CSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET

 

描述

这款 99mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化,能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。







特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 高度为 0.2mm
  • 集成 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
CSD17484F4 CSD13381F4 CSD13383F4 CSD15380F3 CSD17382F4
30    12    12    20    30   
Single    Single    Single    Single    Single   
128    180    44    1460    67   
18    7    27    1.6    14.8   
0.92    1.06    2    0.216    2.1   
0.075    0.14    0.6    0.027    0.63   
LGA 1.0x0.6mm    LGA 1.0 x 0.6mm    LGA 1.0 x 0.6mm    LGA0.6x0.7    LGA 1.0 x 0.6mm   
125    170    53    2220    67   
107    140    37    1170    56   
12    8    10    10    10   
0.85    0.85    1    1.1    0.9   

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MOSTFET Power Loss Calculator
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