CSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET - CSD17484F4

CSD17484F4 (正在供货)

CSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET

 

描述

这款 99mΩ,30V N 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。

典型部件尺寸

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 85°C/W,这是在厚度为 0.06 英寸 (1.52 mm) 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2),2 盎司(厚度为 0.071 mm)的铜过渡垫片上测得的典型值
。脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1% 顶视图

特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 高度 0.2mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 电池类应用
  • 手持式和移动类应用

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
CSD17484F4 CSD13381F4 CSD13383F4 CSD15380F3 CSD17382F4
30    12    12    20    30   
Single    Single    Single    Single    Single   
128    180    44    1460    67   
18    7    27    1.6    14.8   
0.92    1.06    2    0.216    2.1   
0.075    0.14    0.6    0.027    0.63   
LGA 1.0x0.6mm    LGA 1.0 x 0.6mm    LGA 1.0 x 0.6mm    LGA0.6x0.7    LGA 1.0 x 0.6mm   
125    170    53    2220    67   
107    140    37    1170    56   
12    8    10    10    10   
0.85    0.85    1    1.1    0.9   

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Vin
Min
V
  Max
V
 
Output Vout
V
  Iout
A
Ambient Temp °C  
Multiple Loads
Single Output
FPGA Power Processor Power
All
Actel
Altera
Lattice
Xilinx
TI
All
Multiple Loads
Multiple Loads
 

Vin (V)
Min
Max
Op. Temperature °C
Optional Light Output (Lumens)