CSD17484F4 CSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD17484F4 (正在供货)

CSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET

 

描述

这款 99mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化,能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。







特性

  • 低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 高度为 0.2mm
  • 集成 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准

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参数 与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
Rating
CSD17484F4 CSD13381F4 CSD13383F4 CSD15380F3 CSD17382F4
30     12     12     20     30    
Single     Single     Single     Single     Single    
128     180     44     1460     67    
18     7     27     1.6     14.8    
0.92     1.06     2     0.216     2.1    
0.075     0.14     0.6     0.027     0.63    
LGA 1.0x0.6mm     LGA 1.0 x 0.6mm     LGA 1.0 x 0.6mm     LGA0.6x0.7     LGA 1.0 x 0.6mm    
125     170     53     2220     67    
12     8     10     10     10    
0.85     0.85     1     1.1     0.9    
Yes     Yes     Yes     Yes     Yes    
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