CSD13202Q2 N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V(最大值) | 德州仪器 TI.com.cn

CSD13202Q2 (正在供货)

N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V(最大值)

N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V(最大值) - CSD13202Q2
 

描述

此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
Rating
CSD13202Q2 CSD17313Q2 CSD17318Q2 CSD17571Q2
12     30     30     30    
Single     Single     Single     Single    
9.3     32     16.9     29    
      24    
76     20     68     39    
5.1     2.1     6     2.4    
0.76     0.4     1.3     0.6    
SON2x2     SON2x2     SON2x2     SON2x2    
9.1       20      
8     10     10     20    
0.8     1.3     0.9     1.6    
    25      
22     5     22     22    
Yes     Yes     Yes     Yes    
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