N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V(最大值) - CSD13202Q2

CSD13202Q2 (正在供货)

N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 (Rdson)/4.5V(最大值)

 

描述

这个 12V,7.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 SON 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。

顶视图 RθJA=45°C/W,这是在 1 平方英寸纯铜 (Cu)(2 盎司)且厚度为 .060" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上测得的值。脉冲持续时间 10μs,占空比 ≤ 2%

特性

  • 超低 Qg和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 存储、平板电脑和手持类器件
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化
  • 负载点同步降压转换器

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
RDS(on) Typ at VGS=4.5V (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
CSD13202Q2 CSD17313Q2 CSD17318Q2 CSD17571Q2
12    30    30    30   
Single    Single    Single    Single   
9.3    32    16.9    29   
      24   
76    20    68    39   
5.1    2.1    6    2.4   
0.76    0.4    1.3    0.6   
SON2x2    SON2x2    SON2x2    SON2x2   
9.1      20     
7.5    26    13.9    24   
8    10    10    20   
0.8    1.3    0.9    1.6   
    25     

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Vin
Min
V
  Max
V
 
Output Vout
V
  Iout
A
Ambient Temp °C  
Multiple Loads
Single Output
FPGA Power Processor Power
All
Actel
Altera
Lattice
Xilinx
TI
All
Multiple Loads
Multiple Loads
 

Vin (V)
Min
Max
Op. Temperature °C
Optional Light Output (Lumens)