UCC27211A

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具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器

产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 4 Operating temperature range (°C) -40 to 140 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -12 Features Negative voltage handling Driver configuration Dual, Noninverting, TTL compatible
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VSON (DRM) 8 16 mm² 4 x 4
  • 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 最大引导电压 120V 直流
  • 4A 吸收,4A 源输出电流
  • 0.9Ω 上拉和下拉电阻
  • 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压,并且与电源电压范围无关
  • 晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输入版本
  • 8V 至 17V VDD 运行范围(绝对最大值 20V)
  • 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(采用 1000pF 负载时)
  • 快速传播延迟时间(典型值 20ns)
  • 4ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
  • 支持全部行业标准封装
    • SOIC-8
    • 4mm × 4mm 小外形尺寸无引线 (SON)-8 封装
    • 4mm × 4mm 小外形尺寸无引线 (SON)-10 封装
  • -40℃ 至 +140°C 的额定温度范围

应用

  • 针对电信,数据通信和商用的电源
  • 半桥和全桥转换器
  • 推挽转换器
  • 高电压同步降压型转换器
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • D 类音频放大器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 最大引导电压 120V 直流
  • 4A 吸收,4A 源输出电流
  • 0.9Ω 上拉和下拉电阻
  • 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压,并且与电源电压范围无关
  • 晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输入版本
  • 8V 至 17V VDD 运行范围(绝对最大值 20V)
  • 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(采用 1000pF 负载时)
  • 快速传播延迟时间(典型值 20ns)
  • 4ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能
  • 支持全部行业标准封装
    • SOIC-8
    • 4mm × 4mm 小外形尺寸无引线 (SON)-8 封装
    • 4mm × 4mm 小外形尺寸无引线 (SON)-10 封装
  • -40℃ 至 +140°C 的额定温度范围

应用

  • 针对电信,数据通信和商用的电源
  • 半桥和全桥转换器
  • 推挽转换器
  • 高电压同步降压型转换器
  • 两开关正激式转换器
  • 有源箝位正激式转换器
  • D 类音频放大器

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UCC27211A 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器;但该器件相比之下具有显著的性能提升。

峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω,因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有 20V 的最大额定值。

>

UCC27211A 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 –18V 电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210A(伪 CMOS 输入)和 UCC27211A (TTL inputs) 已经增加了滞后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器的接口具有增强的抗扰度。

低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至 2ns 的匹配。

由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

UCC27211A 器件采用 8 引脚 SOIC (D) 和 8 引脚 VSON (DRM) 封装8 引脚 SO-PowerPAD 封装。

UCC27211A 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器;但该器件相比之下具有显著的性能提升。

峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω,因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有 20V 的最大额定值。

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UCC27211A 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 –18V 电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。UCC27210A(伪 CMOS 输入)和 UCC27211A (TTL inputs) 已经增加了滞后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制 (PWM) 控制器的接口具有增强的抗扰度。

低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至 2ns 的匹配。

由于在芯片上集成了一个额定电压为 120V 的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。

UCC27211A 器件采用 8 引脚 SOIC (D) 和 8 引脚 VSON (DRM) 封装8 引脚 SO-PowerPAD 封装。

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技术文档

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

仿真模型

UCC27211 PSpice Transient Model

SLUM245.ZIP (31 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC27211 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM304.TSC (107 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

UCC27211 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM305.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
仿真模型

UCC27211 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM504.ZIP (1 KB) - PSpice Model
计算工具

SLURB12 UCC272xx Schematic Review Template

支持的产品和硬件

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产品
半桥驱动器
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原理图: PDF
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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