ZHCSDP7 May 2015 UCC27201A-Q1
PRODUCTION DATA.
UCC27201A-Q1 高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。 这可在半桥式、全桥式、两开关正激式和有源箝位正激式转换器中提供N沟道 MOSFET 控制。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至 1ns 的匹配。 UCC27201A-Q1 基于常见的 UCC27200 和 UCC27201 驱动器,但提供了一些增强功能。 UCC27201A-Q1 的 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压,这使得其在电源噪声环境下的性能得到了改善。
由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。 为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能,如果驱动电压低于规定的门限,则强制输出为低电平。
UCC27201A-Q1 具有 TTL 兼容阈值,并且采用带有散热焊盘的 8 引脚 SOIC 封装。
器件型号 | 封装 | 封装尺寸(标称值) |
---|---|---|
UCC27201A-Q1 | DDA (8) | 4.89mm × 3.90mm |
日期 | 修订版本 | 注释 |
---|---|---|
2015 年 3 月 | * | 首次发布。 |