UCC21732-Q1

正在供货

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Two-level turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 28 Fall time (ns) 24 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 270ns 快速响应时间的过流保护
  • 外部有源米勒钳位
  • 发生故障时的内部 2 级关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
    • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 要求的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
    • 5700VRMS 隔离,符合 UL1577 标准且持续时长为 1 分钟
  • 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C3
  • 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
  • ±10A 驱动强度和分离输出
  • 150V/ns 最小 CMTI
  • 具有 270ns 快速响应时间的过流保护
  • 外部有源米勒钳位
  • 发生故障时的内部 2 级关断
  • 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
    • 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
    • 高电压直流链路或相电压
  • 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
  • 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
  • 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
  • RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
  • 130ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
  • SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
  • 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
  • 安全相关认证:
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 要求的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
    • 5700VRMS 隔离,符合 UL1577 标准且持续时长为 1 分钟

UCC21732-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 2121V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21732-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离栅寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏斜,共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21732-Q1 包括先进的保护特性,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为)和稳健性。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压感测,从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。

UCC21732-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 2121V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21732-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离栅寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏斜,共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21732-Q1 包括先进的保护特性,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为)和稳健性。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压感测,从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC21732QDWEVM-025 — 适用于 SiC/IGBT 的 UCC21732-Q1 汽车单通道隔离式栅极驱动器评估模块

UCC21732QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板,可提供采用 150 x 62 x 17mm 和 106 x 62 x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压、保护和诊断功能。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21732 为基础,后者采用 SOIC-16DW 封装,具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

UCC21732 PSpice Transient Model

SLUM663.ZIP (65 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC21732 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM717.ZIP (6 KB) - PSpice Model
计算工具

SLUC695 UCC217xx XL Calculator Tool

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
隔离式栅极驱动器
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模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

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在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

PMP23223 — 具有辅助电源的智能隔离式栅极驱动器参考设计

此参考设计展示了 UCC21732 栅极驱动器与 UCC14xxx 系列辅助电源的组合。此设计可用于驱动各种功率管,包括直接连接到 Wolfspeed 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 模块。此参考设计可用作高侧或低侧驱动器,也可使用容性模拟负载进行测试。

UCC14240-Q1、UCC14141-Q1 和 UCC14341-Q1 都是集成辅助电源的直接替代产品,每个产品都具有不同的目标输入电压和输出功率。

UCC14xxx-Q1 信息:

  • UCC14240-Q1
    • 隔离:基本型
    • 输入电压 (V):24(21 至 27)
    • 输出电压 (V):25(18 至 25)
    • 功率输出 (W):2
  • (...)
测试报告: PDF
参考设计

TIDA-020030 — 具有热敏二极管和感应 FET 的 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器参考设计

此参考设计是一款具有高级保护功能、驱动 IGBT 模块的 IGBT 或 SiC 隔离式栅极驱动器功率级。该设计包含牵引逆变器的单相功率级,可提供高级安全功能。IGBT 模块具有用于温度监测的集成式热敏二极管和用于过流保护的感应 FET,可快速提供精确保护。它包含偏置电源及其输出电压监控、冗余电路上的隔离式直流总线感应、高低侧驱动器温度感应、PWM 栅极信号监控和故障信号注入诊断。该电源可接受 4.5V 至 65V 直流的宽输入范围,可提供高达 180mA 的输出电流。该隔离式栅极驱动器具有高达 ±10A 的驱动强度,还包含一个用于温度和电压感应的模拟至 PWM 转换器。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 下载
SOIC (DW) 16 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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