UCC21732-Q1 适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和 CMTI 的汽车单通道隔离式栅极驱动器 | 德州仪器 TI.com.cn

UCC21732-Q1 (预发布)

适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和 CMTI 的汽车单通道隔离式栅极驱动器

 

Sample availability and more information

Preproduction samples are available (PUCC21732QDWQ1). Request now

Full data sheet, EVM user's guide, and PSpice model are available. Request now

描述

UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护 功能、一流的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

特性

  • 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 (计划的认证)
  • 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • 有源米勒钳位
  • RDY 上的 UVLO(具有电源正常指示功能)
  • 小传播延迟和脉冲/器件间偏移
  • 工作温度范围为 –40°C 至 125°C
  • 安全相关认证(计划):
    • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
    • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离

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参数

与其它产品相比 隔离栅极驱动器 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 Isolation rating (Vrms) DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) Number of channels (#) Power switch Enable/disable function Output VCC/VDD (Max) (V) Output VCC/VDD (Min) (V) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Peak output current (A) Prop delay (ns) Operating temperature range (C) Package Group
UCC21732-Q1 立即下单 5700     8400     2121     1     IGBT
SiCFET    
   
33     13     3     5.5     10     90     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5451-Q1 立即下单 5700     8000     1420     1     IGBT    
   
30     15     3     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5452-Q1 立即下单 5700     8000     1420     1     IGBT
SiCFET    
   
30     15     2.25     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5851-Q1 立即下单 5700     8000     2121     1     IGBT    
   
30     15     3     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16    
ISO5852S-Q1 立即下单 5700     8000     2121     1     IGBT
SiCFET    
   
30     15     2.25     5.5     5     76     -40 to 125     SOIC | 16