TX75E16

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具有增强型阻尼特性的 16 通道五级变送器

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Device type Transmitter Number of input channels 16 Active supply current (typ) (mA) 3.6 Supply voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) 0 to 70 Interface type Serial Rating Catalog
Device type Transmitter Number of input channels 16 Active supply current (typ) (mA) 3.6 Supply voltage (max) (V) 5.5 Operating temperature range (°C) 0 to 70 Interface type Serial Rating Catalog
FCCSP (ALH) 144 100 mm² 10 x 10
  • 发送器支持:
    • 16 通道五级脉冲发生器和有源发送/接收 (T/R) 开关
  • 五级脉冲发生器:
    • 输出电压最大值:±100V
    • 输出电压最小值:±1V
    • 最大输出电流:2A
    • 支持 4A 输出电流模式。
    • 真正归零以将输出电压对地放电
    • 第二谐波在 5MHz 频率下为 -45dBc
    • –3dB 带宽,1 kΩ || 240pF 负载
      • 20MHz(针对 ±100V 电源)
      • 25MHz(针对 ±70V 电源)
      • 35MHz(针对 4A 模式下的 ±100V 电源)
    • 集成抖动:频率为 100Hz 至 20kHz 时的测量值为 100fs
    • CW 模式近端相位噪声:5MHz 信号(1kHz 偏移)时为 -154dBc/Hz
    • 接收功率极低:1mW/ch
    • 可编程负载阻尼电阻器:200Ω、100Ω 或 67Ω
  • 有源发送/接收 (T/R) 开关,具有:
    • 导通电阻:8Ω
    • 导通和关断时间:100ns
    • 瞬态干扰:10 mVpp
  • 片上波束形成器,具有:
    • 基于通道的 T/R 开关控制
    • 延迟分辨率:半个波束形成器时钟周期,不低于 2ns
    • 最大延迟:214 个波束形成器时钟周期
    • 波束形成器时钟速度最大值:320MHz
    • 每通道模式控制,具有 2K 不同级别
    • 全局和局部重复模式,为横波成像启用长持续时间模式
    • 支持 120 个延迟分布
  • 高速(最大值:400MHz)双通道 LVDS 串行编程接口。
    • 低编程时间:针对延迟用户更新,< 500ns
    • 32 位校验和功能可检测错误的 SPI 写入
  • 支持 CMOS 串行编程接口(不高于 50MHz)
  • 内部温度传感器和自动热关断
  • 无需特定电源时序
  • 错误标志寄存器,用于检测故障情况
  • 用于浮动电源和偏置电压的集成无源器件
  • 小型封装:FC-BGA-144 (10mm × 10mm),间距为 0.8mm
  • 发送器支持:
    • 16 通道五级脉冲发生器和有源发送/接收 (T/R) 开关
  • 五级脉冲发生器:
    • 输出电压最大值:±100V
    • 输出电压最小值:±1V
    • 最大输出电流:2A
    • 支持 4A 输出电流模式。
    • 真正归零以将输出电压对地放电
    • 第二谐波在 5MHz 频率下为 -45dBc
    • –3dB 带宽,1 kΩ || 240pF 负载
      • 20MHz(针对 ±100V 电源)
      • 25MHz(针对 ±70V 电源)
      • 35MHz(针对 4A 模式下的 ±100V 电源)
    • 集成抖动:频率为 100Hz 至 20kHz 时的测量值为 100fs
    • CW 模式近端相位噪声:5MHz 信号(1kHz 偏移)时为 -154dBc/Hz
    • 接收功率极低:1mW/ch
    • 可编程负载阻尼电阻器:200Ω、100Ω 或 67Ω
  • 有源发送/接收 (T/R) 开关,具有:
    • 导通电阻:8Ω
    • 导通和关断时间:100ns
    • 瞬态干扰:10 mVpp
  • 片上波束形成器,具有:
    • 基于通道的 T/R 开关控制
    • 延迟分辨率:半个波束形成器时钟周期,不低于 2ns
    • 最大延迟:214 个波束形成器时钟周期
    • 波束形成器时钟速度最大值:320MHz
    • 每通道模式控制,具有 2K 不同级别
    • 全局和局部重复模式,为横波成像启用长持续时间模式
    • 支持 120 个延迟分布
  • 高速(最大值:400MHz)双通道 LVDS 串行编程接口。
    • 低编程时间:针对延迟用户更新,< 500ns
    • 32 位校验和功能可检测错误的 SPI 写入
  • 支持 CMOS 串行编程接口(不高于 50MHz)
  • 内部温度传感器和自动热关断
  • 无需特定电源时序
  • 错误标志寄存器,用于检测故障情况
  • 用于浮动电源和偏置电压的集成无源器件
  • 小型封装:FC-BGA-144 (10mm × 10mm),间距为 0.8mm

TX75E16 是一款适用于超声波成像系统的高度集成、高性能发送器。该器件共设有 16 个脉冲发生器电路、16 个发送/接收开关(称为 T/R 或 TR 开关),并支持片上和片外波束形成器 (TxBF)。该器件还集成片上浮动电源,可减少所需高压电源的数量。

TX75E16 有一个脉冲发生器电路,可生成五级高压脉冲(高达 ±100V),这些脉冲用于激发超声波传感器的多个通道。该器件共支持 16 个输出。输出电流最大值为 2A。

该器件可用作许多应用的发射器,这些应用如超声成像、无损检测、声纳、激光雷达、海洋导航系统、大脑成像系统等。

TX75E16(在此数据表中被称为器件)是一款用于激发超声传感器的高度集成发送器。器件集成了 16 个脉冲发生器和 16 个 T/R 开关、片上波束形成器和图形发生器。

该器件集成了浮动电源和内部偏置电压所需的所有去耦电容器。此集成显著减少了所需外部电容器数量。TX75E16 采用 144 引脚 10mm × 10mm FC-BGA 封装(ALH 封装),额定工作温度范围为 0°C 至 70°C。

脉冲发生器电路产生五级高压脉冲(高达 ±100V),最大输出电流为 2A。当脉冲发生器发射高压脉冲时,T/R 开关关闭,保护低压接收电路免受损坏。当传感器接收回波信号时,T/R 开关导通并将传感器连接到接收器。T/R 开关的开/关操作由器件中内置的片上波束形成引擎控制。T/R 开关在导通状态下提供 8Ω 的阻抗。

超声波传输依靠定义传输方向的不同的延迟值来激发多个传感器元件。这种操作被称为传输波束形成。TX75E16 支持不同通道的交错式脉冲,从而实现传输波束形成。

在片上波束形成器模式下,不同通道脉冲的延迟分布会存储在器件内。器件支持的传输波束形成器延迟分辨率为一个波束形成器时钟周期,延迟不超过 214 个波束形成器时钟周期。内部图形发生器依据分布 RAM 中的图形分布生成输出脉冲图形。每个通道都有 RAM,长度为 960 字节。图形具有全局和局部重复特征。此功能可用于生成长图形,并可用于横波成像。

这些图形分布和延迟分布是使用高速 (400MHz) 串行外设接口写入的。高速写入可能容易出错,因此器件具有校验和功能来检测 SPI 写入中的错误。

为防止器件因配置不当而损坏,内部错误标志寄存器可检测故障情况并自动将器件配置为关断模式。

TX75E16 是一款适用于超声波成像系统的高度集成、高性能发送器。该器件共设有 16 个脉冲发生器电路、16 个发送/接收开关(称为 T/R 或 TR 开关),并支持片上和片外波束形成器 (TxBF)。该器件还集成片上浮动电源,可减少所需高压电源的数量。

TX75E16 有一个脉冲发生器电路,可生成五级高压脉冲(高达 ±100V),这些脉冲用于激发超声波传感器的多个通道。该器件共支持 16 个输出。输出电流最大值为 2A。

该器件可用作许多应用的发射器,这些应用如超声成像、无损检测、声纳、激光雷达、海洋导航系统、大脑成像系统等。

TX75E16(在此数据表中被称为器件)是一款用于激发超声传感器的高度集成发送器。器件集成了 16 个脉冲发生器和 16 个 T/R 开关、片上波束形成器和图形发生器。

该器件集成了浮动电源和内部偏置电压所需的所有去耦电容器。此集成显著减少了所需外部电容器数量。TX75E16 采用 144 引脚 10mm × 10mm FC-BGA 封装(ALH 封装),额定工作温度范围为 0°C 至 70°C。

脉冲发生器电路产生五级高压脉冲(高达 ±100V),最大输出电流为 2A。当脉冲发生器发射高压脉冲时,T/R 开关关闭,保护低压接收电路免受损坏。当传感器接收回波信号时,T/R 开关导通并将传感器连接到接收器。T/R 开关的开/关操作由器件中内置的片上波束形成引擎控制。T/R 开关在导通状态下提供 8Ω 的阻抗。

超声波传输依靠定义传输方向的不同的延迟值来激发多个传感器元件。这种操作被称为传输波束形成。TX75E16 支持不同通道的交错式脉冲,从而实现传输波束形成。

在片上波束形成器模式下,不同通道脉冲的延迟分布会存储在器件内。器件支持的传输波束形成器延迟分辨率为一个波束形成器时钟周期,延迟不超过 214 个波束形成器时钟周期。内部图形发生器依据分布 RAM 中的图形分布生成输出脉冲图形。每个通道都有 RAM,长度为 960 字节。图形具有全局和局部重复特征。此功能可用于生成长图形,并可用于横波成像。

这些图形分布和延迟分布是使用高速 (400MHz) 串行外设接口写入的。高速写入可能容易出错,因此器件具有校验和功能来检测 SPI 写入中的错误。

为防止器件因配置不当而损坏,内部错误标志寄存器可检测故障情况并自动将器件配置为关断模式。

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* 数据表 TX75E16 具有 T/R 开关、片上波束形成器和增强型负载阻尼特性的 5 级 16 通道发送器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2023年 12月 4日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TX75E16EVM — TX75E16 评估模块

TX75E16 评估模块 (EVM) 可评估 TX75E16 器件及其功能。

模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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