TPS737

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具有反向电流保护和使能功能的 1A 超低压降稳压器

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Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 1 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 2.2 Vout (max) (V) 5.4 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.8, 2.5, 3, 3.3, 3.4 Noise (µVrms) 48 Iq (typ) (mA) 0.4 Thermal resistance θJA (°C/W) 47.7, 50 Rating Catalog Load capacitance (min) (µF) 1 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Foldback Overcurrent protection, Foldback overcurrent protection, Reverse Current Protection, Reverse current protection Accuracy (%) 3 PSRR at 100 KHz (dB) 33 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 130 Operating temperature range (°C) -40 to 125
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SOT-223 (DCQ) 6 45.89 mm² 6.5 x 7.06 VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3 WSON (DRV) 6 4 mm² 2 x 2
  • 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定
  • 输入电压范围:2.2V 至 5.5V
  • 超低压降电压
    • 传统器件:1A 时典型值为 130mV
    • 新器件,M3 后缀:1A 时典型值为 122mV
  • 即使使用仅为 1µF 的输出电容器,也能实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
  • 初始精度:1%
  • 在线路、负载和温度范围内总精度
    • 传统器件:3%
    • 新器件,M3 后缀:1.5%
  • 关断模式下,IQ 典型值小于 20nA
  • 通过热关断和电流限制实现故障保护
  • 提供了多个输出电压版本:
    • 可调输出:1.20V 至 5.5V
    • 使用工厂封装级编程,可提供定制输出
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    • 新器件,M3 后缀:1A 时典型值为 122mV
  • 即使使用仅为 1µF 的输出电容器,也能实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
  • 初始精度:1%
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    • 传统器件:3%
    • 新器件,M3 后缀:1.5%
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TPS737 线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低,从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色,即使与 1µF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑也可实现超低压降。

TPS737 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低的压降电压和低接地引脚电流。带有 M3 后缀的器件型号采用依托最新 TI 工艺技术的更新设计。未启用时的电流消耗小于 20nA,适用于便携式应用。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

对于需要更高输出电压精度的应用,请考虑 TI 的 TPS7A37 1% 总精度、1A 低压降稳压器。

TPS737 线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低,从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色,即使与 1µF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑也可实现超低压降。

TPS737 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度,同时提供超低的压降电压和低接地引脚电流。带有 M3 后缀的器件型号采用依托最新 TI 工艺技术的更新设计。未启用时的电流消耗小于 20nA,适用于便携式应用。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

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