TPS65295

正在供货

4.5V 至 18V 输入电压完整 DDR4 存储器电源解决方案

产品详情

DDR memory type DDR4 Control mode D-CAP3 Iout VDDQ (max) (A) 8 Iout VTT (max) (A) 1 Iq (typ) (mA) 0.15 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 18 Features Complete Solution Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Regulator type Step-Down Converter Vin bias (max) (V) 16 Vin bias (min) (V) 4.5 Vout VTT (min) (V) 0.6
DDR memory type DDR4 Control mode D-CAP3 Iout VDDQ (max) (A) 8 Iout VTT (max) (A) 1 Iq (typ) (mA) 0.15 Output VDDQ, VREF, VTT Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 18 Features Complete Solution Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Regulator type Step-Down Converter Vin bias (max) (V) 16 Vin bias (min) (V) 4.5 Vout VTT (min) (V) 0.6
VQFN-HR (RJE) 18 9 mm² 3 x 3
  • 同步降压转换器 (VDDQ)
    • 输入电压范围:4.5V 至 18V
    • 输出电压固定为 1.2V
    • D-CAP3™模式控制,用于快速瞬态响应
    • 持续输出电流:8A
    • 高级 Eco-mode™脉冲跳跃
    • 集成 22mΩ 和 8.6mΩ RDS(on) 内部电源开关
    • 600kHz 开关频率
    • 内部软启动:1.6ms
    • 逐周期过流保护
    • 锁存输出 OV 和 UV 保护
  • 同步降压转换器 (VPP)
    • 输入电压范围:3V 至 5.5V
    • 输出电压固定为 2.5V
    • D-CAP3™模式控制,用于快速瞬态响应
    • 持续输出电流:1A
    • 高级 Eco-mode™脉冲跳跃
    • 集成 150mΩ 和 120mΩ RDS(on) 内部电源开关
    • 580kHz 开关频率
    • 内部软启动:1ms
    • 逐周期过流保护
    • 锁存输出 OV 和 UV 保护
  • 1A LDO (VTT)
    • 1A 持续灌电流和拉电流
    • 仅需 10µF 的陶瓷输出电容
    • 在 S3 状态下支持高阻态输出
    • ±30mV VTT 输出精度(直流 + 交流)
  • 缓冲基准 (VTTREF)
    • 经缓冲的低噪声 ±10mA 功能
    • 0.8% 输出精度
  • 低静态电流:150µA
  • 电源正常指示器
  • 输出放电功能
  • 加电和断电排序控制
  • 非锁存 OT 和 UVLO 保护
  • 18 引脚 3.0mm × 3.0mm HotRod™VQFN 封装
  • 同步降压转换器 (VDDQ)
    • 输入电压范围:4.5V 至 18V
    • 输出电压固定为 1.2V
    • D-CAP3™模式控制,用于快速瞬态响应
    • 持续输出电流:8A
    • 高级 Eco-mode™脉冲跳跃
    • 集成 22mΩ 和 8.6mΩ RDS(on) 内部电源开关
    • 600kHz 开关频率
    • 内部软启动:1.6ms
    • 逐周期过流保护
    • 锁存输出 OV 和 UV 保护
  • 同步降压转换器 (VPP)
    • 输入电压范围:3V 至 5.5V
    • 输出电压固定为 2.5V
    • D-CAP3™模式控制,用于快速瞬态响应
    • 持续输出电流:1A
    • 高级 Eco-mode™脉冲跳跃
    • 集成 150mΩ 和 120mΩ RDS(on) 内部电源开关
    • 580kHz 开关频率
    • 内部软启动:1ms
    • 逐周期过流保护
    • 锁存输出 OV 和 UV 保护
  • 1A LDO (VTT)
    • 1A 持续灌电流和拉电流
    • 仅需 10µF 的陶瓷输出电容
    • 在 S3 状态下支持高阻态输出
    • ±30mV VTT 输出精度(直流 + 交流)
  • 缓冲基准 (VTTREF)
    • 经缓冲的低噪声 ±10mA 功能
    • 0.8% 输出精度
  • 低静态电流:150µA
  • 电源正常指示器
  • 输出放电功能
  • 加电和断电排序控制
  • 非锁存 OT 和 UVLO 保护
  • 18 引脚 3.0mm × 3.0mm HotRod™VQFN 封装

TPS65295 器件能够以最低的总成本和最小的空间为 DDR4 存储器系统提供完整的电源解决方案。它符合 JEDEC 标准中的 DDR4 加电和断电顺序要求。TPS65295 将两个同步降压转换器(VPP 和 VDDQ)与 1A 灌电流和拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 开关频率的 D-CAP3™模式,此模式可在无需外部补偿电路的情况下实现易于使用的快速瞬变并支持陶瓷输出电容器。

VTTREF 跟踪 ½ VDDQ 的精度优于 0.8%。VTT 可同时提供 1A 持续灌电流和拉电流功能,而仅需 10µF 的陶瓷输出电容。

TPS65295 可提供丰富的功能和卓越的电源性能。它支持灵活功耗状态控制,将 VTT 置于高阻抗状态(处于 S3)并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电。另外还提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。此器件采用热增强型 18 引脚 HotRod™VQFN 封装,额定结温范围为 –40°C 至 125°C。

TPS65295 器件能够以最低的总成本和最小的空间为 DDR4 存储器系统提供完整的电源解决方案。它符合 JEDEC 标准中的 DDR4 加电和断电顺序要求。TPS65295 将两个同步降压转换器(VPP 和 VDDQ)与 1A 灌电流和拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 开关频率的 D-CAP3™模式,此模式可在无需外部补偿电路的情况下实现易于使用的快速瞬变并支持陶瓷输出电容器。

VTTREF 跟踪 ½ VDDQ 的精度优于 0.8%。VTT 可同时提供 1A 持续灌电流和拉电流功能,而仅需 10µF 的陶瓷输出电容。

TPS65295 可提供丰富的功能和卓越的电源性能。它支持灵活功耗状态控制,将 VTT 置于高阻抗状态(处于 S3)并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电。另外还提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。此器件采用热增强型 18 引脚 HotRod™VQFN 封装,额定结温范围为 –40°C 至 125°C。

下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 3
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPS65295 完整 DDR4 存储器电源解决方案 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2019年 2月 26日
应用手册 PC 应用中 Tiger Lake 的非隔离式负载点解决方案 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2021年 8月 12日
EVM 用户指南 TPS65295EVM-079 user's guide 2018年 12月 4日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TPS65295EVM-079 — TPS65295EVM-079

TPS65295 评估模块 (EMV) 用于评估 TPS65295 器件。TPS65295 器件能够以最低的总成本和最小的空间为 DDR4 存储器系统提供完整的电源解决方案。它符合 JEDEC 标准中的 DDR4 加电和断电顺序要求。TPS65295 将两个同步降压转换器(VPP 和 VDDQ)与 1A 灌电流和拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。TPS65295 采用耦合了 600kHz 开关频率的 D-CAP3™ 模式,此模式可在无需外部补偿电路的情况下实现易于使用的快速瞬变并支持陶瓷输出电容器。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

TPS65295 PSpice Transient Model

SLUM678.ZIP (114 KB) - PSpice Model
封装 引脚 下载
VQFN-HR (RJE) 18 查看选项

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频