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TPS53625

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适用于 VR12.0 微服务器的两相 D-CAP+™ 降压控制器

产品详情

Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 24 Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 1.52 Iout (max) (A) 60 Iq (typ) (mA) 10 Switching frequency (min) (kHz) 300 Switching frequency (max) (kHz) 1000 Features Adjustable current limit, Dynamic Voltage Scaling, Enable, Light Load Efficiency, Phase Interleaving, Power good, Pre-Bias Start-Up, Remote Sense, SVID, Synchronous Rectification Operating temperature range (°C) -40 to 105 Regulated outputs (#) 1 Number of phases 2 Rating Catalog Control mode D-CAP+ Type Controller
Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 24 Vout (min) (V) 0.5 Vout (max) (V) 1.52 Iout (max) (A) 60 Iq (typ) (mA) 10 Switching frequency (min) (kHz) 300 Switching frequency (max) (kHz) 1000 Features Adjustable current limit, Dynamic Voltage Scaling, Enable, Light Load Efficiency, Phase Interleaving, Power good, Pre-Bias Start-Up, Remote Sense, SVID, Synchronous Rectification Operating temperature range (°C) -40 to 105 Regulated outputs (#) 1 Number of phases 2 Rating Catalog Control mode D-CAP+ Type Controller
VQFN (RSM) 32 16 mm² 4 x 4
  • 符合 VR12.0 串行 VID (SVID) 标准
  • 单相或两相运行
  • 支持零负载和非零负载线路应用
  • 8 位 DAC 输出范围:0.25 V 至 1.52 V
  • 优化了轻负载和重负载条件下的效率
  • 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
  • 无驱动器配置,有助于实现高效的高频开关
  • 支持分立式、电源块、功率级或 DrMOS MOSFET 实施
  • 精确可调电压定位
  • 300kHz 至 1MHz 的频率选择
  • 获得专利的 AutoBalance 相位平衡
  • 可选 8 级电流限制
  • 4.5V 至 28V 转换电压范围
  • 小型 4mm × 4mm 32 引脚 VQFN PowerPAD™ 集成电路封装
  • 符合 VR12.0 串行 VID (SVID) 标准
  • 单相或两相运行
  • 支持零负载和非零负载线路应用
  • 8 位 DAC 输出范围:0.25 V 至 1.52 V
  • 优化了轻负载和重负载条件下的效率
  • 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
  • 无驱动器配置,有助于实现高效的高频开关
  • 支持分立式、电源块、功率级或 DrMOS MOSFET 实施
  • 精确可调电压定位
  • 300kHz 至 1MHz 的频率选择
  • 获得专利的 AutoBalance 相位平衡
  • 可选 8 级电流限制
  • 4.5V 至 28V 转换电压范围
  • 小型 4mm × 4mm 32 引脚 VQFN PowerPAD™ 集成电路封装

TPS53625 器件是一款无驱动器、完全符合 SVID 标准的 VR12.0 降压控制器。高级控制特性(例如 D-CAP+ 架构)借助重叠脉冲支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR),可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。TPS53625 器件还支持在 CCM 或 DCM 运行情况下进行单相运行,从而提高轻负载情况下的效率。TPS53625 器件集成了完整的 VR12.0 I/O 功能,包括 VR_READY (PGOOD)、ALERTVR_HOT。SVID 接口地址允许在 0 到 7 的时间范围内进行编程。VOUT 压摆率和电压定位的可调节控制完善了 VR12.0 功能。与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用时,该解决方案可提供超高速度和低开关损耗。TPS53625 器件与选定的 TI 功率级产品以及 DrMOS 产品一起使用,可实现出色效率。TPS53625 器件以 1V 的默认启动电压运行。通过在设计中添加一个外部电阻分压器,应用可以覆盖默认启动电压。TPS53625 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装,可在 –40°C 到 105°C 温度下运行。

TPS53625 器件是一款无驱动器、完全符合 SVID 标准的 VR12.0 降压控制器。高级控制特性(例如 D-CAP+ 架构)借助重叠脉冲支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR),可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。TPS53625 器件还支持在 CCM 或 DCM 运行情况下进行单相运行,从而提高轻负载情况下的效率。TPS53625 器件集成了完整的 VR12.0 I/O 功能,包括 VR_READY (PGOOD)、ALERTVR_HOT。SVID 接口地址允许在 0 到 7 的时间范围内进行编程。VOUT 压摆率和电压定位的可调节控制完善了 VR12.0 功能。与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用时,该解决方案可提供超高速度和低开关损耗。TPS53625 器件与选定的 TI 功率级产品以及 DrMOS 产品一起使用,可实现出色效率。TPS53625 器件以 1V 的默认启动电压运行。通过在设计中添加一个外部电阻分压器,应用可以覆盖默认启动电压。TPS53625 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装,可在 –40°C 到 105°C 温度下运行。

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特别说明

如需获取详细的数据表和其他设计支持工具,请联系 IMVP@list.ti.com

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* 数据表 TPS53625 适用于 VR12.0 VCPU 的两相 D-CAP+ 降压控制器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022年 4月 13日

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  • 引脚镀层/焊球材料
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  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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