TPS51716

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完整的 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器、2A LDO

产品详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Iq (typ) (mA) 0.6 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Iq (typ) (mA) 0.6 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
WQFN (RUK) 20 9 mm² 3 x 3
  • 同步降压控制器 (VDDQ)
    • 转换电压范围:3V 至 28V
    • 输出电压范围:0.7V 至 1.8V
    • 0.8% VREF精度
    • D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式
    • 可选 500kHz/670kHz 开关频率
    • 自动跳频功能优化了轻负载和重负载时的效率
    • 支持 S4/S5 状态中的软启动
    • 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
    • 电源正常输出
  • 2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF)
    • 2A(峰值)灌电流和拉电流
    • 只需 10µF 陶瓷输出电容器
    • 经缓冲的,低噪声,10mA VTTREF 输出
    • 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持软关闭
  • 热关断
  • 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装
  • 同步降压控制器 (VDDQ)
    • 转换电压范围:3V 至 28V
    • 输出电压范围:0.7V 至 1.8V
    • 0.8% VREF精度
    • D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式
    • 可选 500kHz/670kHz 开关频率
    • 自动跳频功能优化了轻负载和重负载时的效率
    • 支持 S4/S5 状态中的软启动
    • 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
    • 电源正常输出
  • 2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF)
    • 2A(峰值)灌电流和拉电流
    • 只需 10µF 陶瓷输出电容器
    • 经缓冲的,低噪声,10mA VTTREF 输出
    • 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度
    • 在 S3 中支持高阻抗 (High-Z) 而在 S4/S5 中支持软关闭
  • 热关断
  • 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装

TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作频率的 D-CAP2 模式,此模式可在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT ,而且只需 10µF 的陶瓷电容。此外,该器件还 具有 专用 LDO 电源输入。

TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。

TI 的 TPS51716 采用 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装,且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。

TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个用于 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51716 采用融合了 500kHz 或 670kHz 工作频率的 D-CAP2 模式,此模式可在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT ,而且只需 10µF 的陶瓷电容。此外,该器件还 具有 专用 LDO 电源输入。

TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。

TI 的 TPS51716 采用 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装,且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。

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* 数据表 具有同步降压控制器、2A LDO 和缓冲基准的 TPS51716 完整 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存电源解决方案 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2017年 11月 2日
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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

仿真模型

TPS51716 PSpice Transient Model

SLUM340.ZIP (78 KB) - PSpice Model
参考设计

PMP10029 — 参考设计 - 面向工业 PC 的 5V 输入、10A 负载 DDR3/DDR4 电源

此参考设计展示了适用于 DDR3 和 DDR4 存储器的通用电源解决方案。同步降压转换器为 DDR3L 配置中的 9A 负载提供 1.35V 输出电压。线性稳压器提供为 2A 负载提供 0.675V 的第二个电压。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 下载
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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