TPS51200-Q1 汽车类吸入/输出 DDR 终端稳压器 | 德州仪器 TI.com.cn

TPS51200-Q1 (不推荐在新型设计中采用) 汽车类吸入/输出 DDR 终端稳压器

 

不建议在新的设计中使用 (NRND)

由替代品 TPS51200A-Q1 – 器件与被比较器件在功能和参数上完全等效。

TI 不推荐在新产品中使用该产品。该产品仍然在继续生产中是因为需提供给现有客户。

描述

TPS51200-Q1 器件是一款灌电流和拉电流双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器,专门针对低输入电压、低成本、低噪声的空间受限型系统而设计。

TPS51200-Q1 器件可保持快速的瞬态响应,最低仅需 20µF 输出电容。TPS51200-Q1 器件支持遥感功能,并且可满足 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 总线终端的所有电源要求。

此外,TPS51200-Q1 器件还提供一个开漏 PGOOD 信号来监测输出稳压,并提供一个 EN 信号在 S3(挂起至 RAM)期间针对 DDR 应用使 VTT 放电。

TPS51200-Q1 器件采用高效散热型 VSON-10 封装,具有绿色环保和无铅的特性。该器件的额定温度范围为 –40°C 至 125°C。

特性

  • 符合汽车类 标准
  • AEC-Q100 测试指导结果如下:的顶部
    • 器件温度等级 1:环境工作温度范围为 –40°C 至 125°C
    • 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 输入电压:支持 2.5V 和 3.3V 电源轨
  • VLDOIN 电压范围:1.1V 至 3.5V
  • 具有压降补偿功能的灌电流/拉电流终端稳压器
  • 所需最小输出电容为 20µF(通常为 3 × 10µF MLCC),用于存储器终端 应用 (DDR)
  • 用于监视输出稳压的 PGOOD
  • EN 输入
  • REFIN 输入允许直接或通过电阻分压器灵活进行输入跟踪
  • 远程感测 (VOSNS)
  • ±10mA 缓冲基准 (REFOUT)
  • 内置软启动、UVLO 和 OCL
  • 热关断
  • 符合 DDR、DDR2 JEDEC 规范;支持 DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 应用
  • 带外露散热焊盘的 VSON-10 封装

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