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TPS22902

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具有输出放电功能的 3.6V、0.5A、78mΩ、22nA 泄漏负载开关

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Number of channels 1 Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 3.6 Imax (A) 0.5 Ron (typ) (mΩ) 83 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.137, 0.88 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 0.204 Soft start Fixed Rise Time Current limit type None Features Quick output discharge Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 FET Internal Device type Load switches Function Inrush current control
Number of channels 1 Vin (min) (V) 1 Vin (max) (V) 3.6 Imax (A) 0.5 Ron (typ) (mΩ) 83 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.137, 0.88 Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 0.204 Soft start Fixed Rise Time Current limit type None Features Quick output discharge Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 FET Internal Device type Load switches Function Inrush current control
DSBGA (YFP) 4 1 mm² 1 x 1
  • 集成 P 沟道负载开关
  • 低输入电压：1V 至 3.6V
  • 导通电阻（典型值）
    • VIN = 3.6V 时，rON = 78mΩ
    • VIN = 2.5V 时，rON = 93mΩ
    • VIN = 1.8V 时，rON = 109mΩ
    • VIN = 1.2V 时，rON = 146mΩ
  • 500mA 最大持续开关电流
  • 静态电流：1.8V 时为 82nA
  • 关断电流：1.8V 时为 44nA
  • 低控制输入阈值支持使用 1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 逻辑
  • 受控转换率，可避免浪涌电流
    • VIN = 1.8V 时 tr = 40µs (TPS22901/2)
    • VIN = 1.8V 时 tr = 220µs (TPS22902B)
  • 快速输出放电 (TPS22902/2B)
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体放电模型{42}（A114-B，II 类）
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 四引脚晶圆芯片级 DSBGA 封装
    • 0.8mm × 0.8mm，间距 0.4mm，高 0.5mm (YFP)
  • 集成 P 沟道负载开关
  • 低输入电压：1V 至 3.6V
  • 导通电阻（典型值）
    • VIN = 3.6V 时，rON = 78mΩ
    • VIN = 2.5V 时，rON = 93mΩ
    • VIN = 1.8V 时，rON = 109mΩ
    • VIN = 1.2V 时，rON = 146mΩ
  • 500mA 最大持续开关电流
  • 静态电流：1.8V 时为 82nA
  • 关断电流：1.8V 时为 44nA
  • 低控制输入阈值支持使用 1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 逻辑
  • 受控转换率，可避免浪涌电流
    • VIN = 1.8V 时 tr = 40µs (TPS22901/2)
    • VIN = 1.8V 时 tr = 220µs (TPS22902B)
  • 快速输出放电 (TPS22902/2B)
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 2000V 人体放电模型{42}（A114-B，II 类）
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 四引脚晶圆芯片级 DSBGA 封装
    • 0.8mm × 0.8mm，间距 0.4mm，高 0.5mm (YFP)

TPS22901、TPS22902 和 TPS22902B 是具有受控开通功能的小型低导通电阻 (rON) 负载开关。这些器件包含一个 P 沟道 MOSFET，该 MOSFET 可在 1.0V 至 3.6V 的输入电压范围内运行。此开关由一个导通/关断输入 (ON) 控制，可与低电压控制信号直接连接。在 TPS22902 和 TPS22902B 中添加了一个 88Ω 片上负载电阻器，用于在开关关闭时进行快速输出放电。

TPS22901、TPS22902 和 TPS22902B 采用节省空间的 0.4mm 间距 4 引脚 DSBGA (YFP) 封装。这些器件在自然通风环境下的额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。

TPS22901、TPS22902 和 TPS22902B 是具有受控开通功能的小型低导通电阻 (rON) 负载开关。这些器件包含一个 P 沟道 MOSFET，该 MOSFET 可在 1.0V 至 3.6V 的输入电压范围内运行。此开关由一个导通/关断输入 (ON) 控制，可与低电压控制信号直接连接。在 TPS22902 和 TPS22902B 中添加了一个 88Ω 片上负载电阻器，用于在开关关闭时进行快速输出放电。

TPS22901、TPS22902 和 TPS22902B 采用节省空间的 0.4mm 间距 4 引脚 DSBGA (YFP) 封装。这些器件在自然通风环境下的额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
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设计和开发

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评估板

TPS22902EVM — TPS22902 负载开关评估模块

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