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TPL7407LA-Q1

正在供货

30V、7 通道汽车类 NMOS 阵列低侧驱动器

产品详情

Drivers per package 7 Switching voltage (max) (V) 32 Output voltage (max) (V) 30 Peak output current (A) 0.5 Delay time (typ) (ns) 250 Input compatibility CMOS, TTL Vol at lowest spec current (typ) (mV) 210 Iout/ch (max) (mA) 600 Iout_off (typ) (µA) 0.01 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 FET Internal Imax (A) 0.6 Device type Low-side switches Function Automotive load dump compatibility, Inductive load compatibility
Drivers per package 7 Switching voltage (max) (V) 32 Output voltage (max) (V) 30 Peak output current (A) 0.5 Delay time (typ) (ns) 250 Input compatibility CMOS, TTL Vol at lowest spec current (typ) (mV) 210 Iout/ch (max) (mA) 600 Iout_off (typ) (µA) 0.01 Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 FET Internal Imax (A) 0.6 Device type Low-side switches Function Automotive load dump compatibility, Inductive load compatibility
TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4
  • 符合汽车类应用的 标准
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 600mA 额定漏极电流(每通道)
  • 7 通道达林顿晶体管阵列 CMOS 引脚对引脚改善(例如:ULN2003A)
  • 能效(极低 VOL
    • 电流为 100mA 时,VOL 低于达林顿晶体管阵列的四分之一
  • 输出泄露极低,每通道小于 10nA
  • 高压输出 30V
  • 与 1.8V 和 5V 微控制器和逻辑接口兼容
  • 用于提供电感反冲保护的内部自振荡二极管
  • 可借助输入下拉电阻器实现三态输入驱动器
  • 用来消除嘈杂环境中的杂散运行的输入 RC 缓冲器
  • ESD 保护性能超出 JESD 22 标准
    • 2kV HBM,500V CDM
  • 符合汽车类应用的 标准
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
    • 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 600mA 额定漏极电流(每通道)
  • 7 通道达林顿晶体管阵列 CMOS 引脚对引脚改善(例如:ULN2003A)
  • 能效(极低 VOL
    • 电流为 100mA 时,VOL 低于达林顿晶体管阵列的四分之一
  • 输出泄露极低,每通道小于 10nA
  • 高压输出 30V
  • 与 1.8V 和 5V 微控制器和逻辑接口兼容
  • 用于提供电感反冲保护的内部自振荡二极管
  • 可借助输入下拉电阻器实现三态输入驱动器
  • 用来消除嘈杂环境中的杂散运行的输入 RC 缓冲器
  • ESD 保护性能超出 JESD 22 标准
    • 2kV HBM,500V CDM

TPL7407LA-Q1 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体管,这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。器件添加了新的调节和驱动电路,可在全部 GPIO 范围(1.8V 至 5V)提供最大驱动能力。这些晶体管还可以通过采用并联方式来提供更高的电流。

相比双极达林顿晶体管实施,TPL7407LA-Q1 的主要优势在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依赖于较低的 VOL,功率耗散比传统继电器驱动器减少一半,每通道的电流低于 250mA。

TPL7407LA-Q1 是一款高压、高电流 NMOS 晶体管阵列。这个器件包含 7 个具有高压输出的 NMOS 晶体管,这些晶体管具有针对开关电感负载的共阴极钳位二极管。单个 NMOS 通道的最大漏极电流额定值为 600mA。器件添加了新的调节和驱动电路,可在全部 GPIO 范围(1.8V 至 5V)提供最大驱动能力。这些晶体管还可以通过采用并联方式来提供更高的电流。

相比双极达林顿晶体管实施,TPL7407LA-Q1 的主要优势在于其具有更高的能效和更低的泄漏。依赖于较低的 VOL,功率耗散比传统继电器驱动器减少一半,每通道的电流低于 250mA。

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPL7407LA-Q1 30V 7 通道低侧驱动器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2018年 5月 25日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

TPL7407LEVM — TPL7407L - 40V 低侧驱动器评估模块

TPL7407LEVM 是一款 7 通道中继和电感负载灌电流驱动器评估模块,用于展示集成电路 TPL7407LDR 的性能。TPL7407LDR 是一款高性能外设驱动器,旨在驱动继电器、步进电机、灯和发光二极管等各类型负载。此 EVM 配置了 7 个向 TPL7407L 驱动器提供输入的按钮和 7 个由 TPL7407L 输出驱动的继电器。外部电源必须连接一个含 4 个终端的块,以提供输入和继电器电源。TPL7407L 的所有输入和输出引脚均可用于外部连接。

用户指南: PDF
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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